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J-GLOBAL ID：202002284749388669   整理番号：20A1609353

エキシマレーザ支援金属有機分解を用いたSiO_2ガラス基板上のBaSnO_3薄膜の作製【JST・京大機械翻訳】

Fabrication of BaSnO₃ thin films on SiO₂ glass substrates using excimer laser-assisted metal organic decomposition

著者 (5件)： MATSUBAYASHI Yasuhito (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN) ,  NOMOTO Junichi (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN) ,  YAMAGUCHI Iwao (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN) ,  NISHIO-HAMANE Daisuke (Univ. Tokyo, Chiba, JPN) ,  TSUCHIYA Tetsuo (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
資料名： 日本セラミックス協会秋季シンポジウム講演予稿集(CD-ROM)
巻： 2019  ページ： ROMBUNNO.30-C2-S21-15  発行年： 2019年 
JST資料番号： L2240B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

本文一部表示： BaSnO_3はペロブスカイト型構造を有するワイドバンドギャップ半導体である。バルクLaドープBaSnO_3の320cm2V-1s-1までの高い移動度の発見は,透明導電膜としてBaSnO_3を使用する可能性を開く。一方,BaSnO_3...【JST・京大機械翻訳】【本文一部表示】

シソーラス用語： X線回折 ,  移動度 ,  界面 ,  結晶化 ,  高温 ,  焼なまし ,  *バリウム ,  レーザ照射 ,  ドーピング ,  前駆体 ,  薄膜成長 ,  ゾル-ゲル法 ,  *エキシマレーザ ,  ペロブスカイト型結晶 ,  透明導電膜 ,  パルスレーザ蒸着 ,  *ガラス基板

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (6件)： エキシマレーザ ,  支援 ,  有機分解 ,  ガラス基板 ,  薄膜 ,  作製