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J-GLOBAL ID:202002284866057492   整理番号:20A1938843

自己照射シリコンにおける電子およびイオン動力学のマルチスケールシミュレーション【JST・京大機械翻訳】

Multiscale simulations of electron and ion dynamics in self-irradiated silicon
著者 (5件):
資料名:
巻: 102  号:ページ: 024107  発行年: 2020年 
JST資料番号: D0746A  ISSN: 2469-9950  CODEN: PRBMDO  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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ターゲット材料の電子およびイオン系とエネルギーイオンの相互作用は興味深いが,挑戦的なマルチスケール問題であり,重,初期荷電イオンの影響後の初期段階の理解は特に貧弱である。同時に,これらの初期段階におけるエネルギー堆積は,損傷カスケードの後期形成を決定する。損傷カスケードの分子動力学シミュレーションによる電子動力学に対する実時間依存密度汎関数理論を結合することにより,マルチスケール特性に取り組んだ。第一原理シミュレーションは,コア電子が電子阻止に影響し,投射物体の電荷状態に予想外の影響を与えることを証明した。この効果は光投射物体に対して存在しないが,重い投射物体に対する阻止物理を支配することを示した。第一原理結果を用いた分子動力学シミュレーションにおける非弾性エネルギー損失摩擦項のパラメータ化により,放射損傷カスケードに対する電子阻止物理の定性的影響を示した。Copyright 2020 The American Physical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (2件):
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その他の物質の放射線による構造と物性の変化  ,  スパッタリング 
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