文献

J-GLOBAL ID：202002285275689678   整理番号：20A2549050

体積膨張圧力により駆動される半ホイスラLiMgSbにおけるトポロジカル相転移の第一原理研究【JST・京大機械翻訳】

A first-principles investigation of topological phase transition in half-Heusler LiMgSb driven by volume expansive pressure

著者 (3件)： Sattigeri Raghottam M. (Department of Physics, Faculty of Science, The Maharaja Sayajirao University of Baroda, Vadodara, Gujarat - 390002, India) ,  Pillai Sharad Babu (Department of Physics, Faculty of Science, The Maharaja Sayajirao University of Baroda, Vadodara, Gujarat - 390002, India) ,  Jha Prafulla K. (Department of Physics, Faculty of Science, The Maharaja Sayajirao University of Baroda, Vadodara, Gujarat - 390002, India)
資料名： AIP Conference Proceedings  (AIP Conference Proceedings)
巻： 2265  号： 1  ページ： 030020-030020-4  発行年： 2020年 
JST資料番号： D0071C  ISSN： 0094-243X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半ホイスラー(HH)化合物は,磁性半導体,熱電およびスピントロニクスデバイスのような多様な応用に対して知られている新しい材料である。一般に,HHシステムは半導体であるが,スピンロック表面状態は,位相相転移(TPT)にシステムを駆動する応力/歪の適用によって実現できる。本研究では,第一原理法を用いて,HH化合物LiMgSbが体積膨張圧力(VEP)の適用下でTPTを受けることを予測した。0%VEPでは,系は間接バンドギャップを持つ半導体特性を示すことを見出した。一方,かなり高いVEP(約17%)では,Dirac ConeはBrillouinゾーン(BZ)で高対称性点Γに沿って形成する。対応する表面状態の存在を計算,計算角度分解光発光分光法(ARPES)によって確認した。さらなる増加で,バンド再開放は,トポロジーインスレータ(TI)の性質を示す。Z_2指数を計算することによりTIの性質を定量化し,LiMgSbはZ_2指数が(0,000)であると結論づける。したがって,予測HHはスピントロニクスと量子計算の分野で多機能応用を持つ。Copyright 2020 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： Brillouin帯 ,  *相転移 ,  対称性 ,  半導体 ,  位相 ,  磁性半導体 ,  発光分光法 ,  第一原理 ,  スピントロニクス ,  量子計算
準シソーラス用語： ホイスラ雑音 ,  多機能 ,  ARPES ,  間接バンドギャップ ,  *トポロジカル相転移 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (4件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  熱電デバイス  (NC03090J) ,  金属の電子伝導一般  (BM03031E) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (6件)： 体積 ,  膨張圧力 ,  ホイスラ ,  トポロジカル相転移 ,  第一原理 ,  研究