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J-GLOBAL ID：202002285372606813   整理番号：20A1876444

均一,制御可能,大面積シリコンワイヤアレイ光電陰極におけるサイズ依存性能【JST・京大機械翻訳】

Size-dependent performances in homogeneous, controllable, and large-area silicon wire array photocathode

著者 (10件)： Li Liujing (School of Optoelectronic Science and Engineering & Collaborative Innovation Center of Suzhou Nano Science and Technology, Soochow University, Suzhou, 215006, China) ,  Li Liujing (Key Lab of Advanced Optical Manufacturing Technologies of Jiangsu Province & Key Lab of Modern Optical Technologies of Education Ministry of China, Soochow University, Suzhou, 215006, China) ,  Wu Shaolong (School of Optoelectronic Science and Engineering & Collaborative Innovation Center of Suzhou Nano Science and Technology, Soochow University, Suzhou, 215006, China) ,  Wu Shaolong (Key Lab of Advanced Optical Manufacturing Technologies of Jiangsu Province & Key Lab of Modern Optical Technologies of Education Ministry of China, Soochow University, Suzhou, 215006, China) ,  Zhou Zhongyuan (School of Optoelectronic Science and Engineering & Collaborative Innovation Center of Suzhou Nano Science and Technology, Soochow University, Suzhou, 215006, China) ,  Zhou Zhongyuan (Key Lab of Advanced Optical Manufacturing Technologies of Jiangsu Province & Key Lab of Modern Optical Technologies of Education Ministry of China, Soochow University, Suzhou, 215006, China) ,  Guo Peiji (School of Optoelectronic Science and Engineering & Collaborative Innovation Center of Suzhou Nano Science and Technology, Soochow University, Suzhou, 215006, China) ,  Guo Peiji (Key Lab of Advanced Optical Manufacturing Technologies of Jiangsu Province & Key Lab of Modern Optical Technologies of Education Ministry of China, Soochow University, Suzhou, 215006, China) ,  Li Xiaofeng (School of Optoelectronic Science and Engineering & Collaborative Innovation Center of Suzhou Nano Science and Technology, Soochow University, Suzhou, 215006, China) ,  Li Xiaofeng (Key Lab of Advanced Optical Manufacturing Technologies of Jiangsu Province & Key Lab of Modern Optical Technologies of Education Ministry of China, Soochow University, Suzhou, 215006, China)
資料名： Journal of Power Sources  (Journal of Power Sources)
巻： 473  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： B0703B  ISSN： 0378-7753  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半導体ワイヤアレイからなる光電気化学(PEC)光電極では,精密に設計したワイヤは光電気化学性能の調節に重要な役割を果たす。しかし,高いPEC性能に対するサイズ効果の実験的評価は,コスト効率が高く大面積の方法によるワイヤの制御可能な製造に依存する。ここでは,良好なサイズの可制御性を有する大面積で均一なシリコンワイヤアレイの作製を,ナノスフェアリソグラフィー,誘導結合プラズマ反応性イオンエッチング,および金属触媒無電解エッチングを用いて実現した。PEC応答とキャリア収集に及ぼすワイヤ長さ/直径の影響は,表面不動態化の有無でPECシステムに対して完全に異なることを検証した。相対小長さの場合と比較して,相対大長さを有するシリコンワイヤアレイ光電陰極は,表面不動態化(例えば,AM1.5G照射下の飽和光電流密度)が,18.2から35.6mAcm-2に大幅に改善された(後),劣った(超)PEC性能を示した。さらに,0.95Vまでの開始電位の実質的なアノードシフトが,ワイヤ直径の増加のみに対して実現される。光生成キャリアの光吸収,表面再結合,表面触媒活性,および空間フラックス密度を分析することにより,基礎となる機構を明らかにした。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： サイズ効果 ,  半導体 ,  光吸収 ,  *ケイ素 ,  触媒活性 ,  電流密度 ,  *光電陰極 ,  *金属線 ,  光電気化学 ,  金属触媒 ,  光電極 ,  アノード ,  ナノワイヤ
準シソーラス用語： *ワイヤアレイ ,  無電解エッチング , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： Si光電陰極 ,  光電気化学応答 ,  制御可能なナノワイヤ ,  寸法の影響 ,  キャリア収集

分類 (2件)： 二次電池  (YB04030K) ,  太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (5件)： 大面積 ,  シリコン ,  ワイヤアレイ ,  光電陰極 ,  サイズ