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J-GLOBAL ID：202002285521730477   整理番号：20A1235638

純相SnS薄膜におけるSbドーピングの効果

Effect of Sb doping in pure phase SnS thin films

著者 (7件)： Abadi Ashenafi (Department of Electrical and Electronics Engineering, Faculty of Engineering, Shinshu University, Japan) ,  Htay Myo Than (Department of Electrical and Electronics Engineering, Faculty of Engineering, Shinshu University, Japan) ,  Htay Myo Than (Institute of Carbon Science and Technology, Shinshu University, Japan) ,  Hashimoto Yoshio (Department of Electrical and Electronics Engineering, Faculty of Engineering, Shinshu University, Japan) ,  Hashimoto Yoshio (Institute of Carbon Science and Technology, Shinshu University, Japan) ,  Ito Kentaro (Department of Electrical and Electronics Engineering, Faculty of Engineering, Shinshu University, Japan) ,  Momose Noritaka (Department of Electrical and Electronics Engineering, National Institute of Technology (KOSEN), Nagano College, Japan)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 59  号： SC  ページ： SCCB11 (7pp)  発行年： 2020年02月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： スパッタリングされたSn前駆体を200°C~400°Cの温度範囲で閉管式硫化処理することにより,SnS薄膜を作製した。最適成長温度250°Cでは,ストイキオメトリ組成(S/Sn=1.03)を持つ純粋な斜方晶SnS相が得られた。成長後の膜の正孔濃度,抵抗率及び正孔移動度は,それぞれ1.3×10¹⁶cm^-3,95.5Ωcm,および5cm²V^-1s^-1であることがわかった。その後,Sb蒸気圧を制御した熱拡散法によりSbをドープした。Sbを用いた熱アニールにより,SnS膜の結晶性が向上した。Sb濃度が0.55%以上の場合,キャリア補償の効果が認められた。1.38%のSbを添加した場合,電気抵抗率は5.65×10⁴Ωcm,キャリア濃度は1.2×10¹⁴cm^-3となった。活性化エネルギーは0.20eVであったが,Sbを添加した試料(1.08%)の活性化エネルギーは30meVであった。すべてのドープSnS膜で最大値12cm²V^-1s^-1の移動度の増加が観測された。しかし,すべてのドープ膜でp型導電性を維持していることがわかった。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *スズ化合物 ,  *硫化物 ,  *アンチモン ,  *ドーピング ,  スパッタ蒸着 ,  硫化 ,  温度 ,  化学組成 ,  斜方晶系 ,  キャリア密度 ,  電気抵抗率 ,  キャリア移動度 ,  焼なまし ,  結晶度 ,  活性化エネルギー ,  不純物伝導 ,  *半導体薄膜
準シソーラス用語： *硫化スズ ,  成長温度 ,  最適温度 ,  ストイキオメトリィ組成 ,  正孔濃度 ,  正孔移動度 ,  アニール処理 ,  結晶性 ,  P型伝導

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： SNS ,  薄膜 ,  Sb ,  ドーピング