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J-GLOBAL ID：202002285670742138   整理番号：20A0471075

走査拡散抵抗顕微鏡法により特性化したホウ素ドープシリコンナノ構造における欠陥分布【JST・京大機械翻訳】

Defect distribution in boron doped silicon nanostructures characterized by means of scanning spreading resistance microscopy

著者 (5件)： Pruessing Jan K. (Institute of Materials Physics, University of Muenster, Wilhelm-Klemm-Strasse 10, D-48149 Muenster, Germany) ,  Bockendorf Tim (Institute of Materials Physics, University of Muenster, Wilhelm-Klemm-Strasse 10, D-48149 Muenster, Germany) ,  Hamdana Gerry (Institute of Semiconductor Technology (IHT) and Laboratory of Emerging Nanometrology (LENA), Technische Universitaet Braunschweig, Hans-Sommer-Strasse 66, D-38106 Braunschweig, Germany) ,  Peiner Erwin (Institute of Semiconductor Technology (IHT) and Laboratory of Emerging Nanometrology (LENA), Technische Universitaet Braunschweig, Hans-Sommer-Strasse 66, D-38106 Braunschweig, Germany) ,  Bracht Hartmut (Institute of Materials Physics, University of Muenster, Wilhelm-Klemm-Strasse 10, D-48149 Muenster, Germany)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 127  号： 5  ページ： 055703-055703-8  発行年： 2020年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 走査拡散抵抗顕微鏡(SSRM)をホウ素(B)ドープバルクおよびナノ構造シリコン(Si)試料に適用した。有限要素シミュレーションを行い,化学Bプロファイルの二次イオン質量分析データに基づいて期待される抵抗プロファイルを計算した。実験とシミュレーションの抵抗走査の間の差は,電気的に活性なドーパントと欠陥状態の相互作用によって一貫して記述される。これらの状態はSSRM分析前に適用した断面試料調製と強く相関した。Bをドープしたバルク試料は,作製したバルクおよび表面欠陥のみを明らかにしたが,BドープSiピラーのSSRM走査は,ピラーの外殻における界面欠陥によりさらに影響を受けた。これらの界面欠陥はSiピラー中の荷電キャリアの濃度に影響するだけでなく,ナノ構造Si中のドーパント拡散にも影響する。Copyright 2020 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *走査 ,  試料調製 ,  電荷 ,  *顕微鏡観察 ,  *ナノ構造 ,  表面欠陥 ,  *ケイ素 ,  キャラクタリゼーション ,  *ドーピング ,  相互作用 ,  ドーパント ,  計算機シミュレーション
準シソーラス用語： 界面欠陥 ,  有限要素シミュレーション ,  *拡散抵抗 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (4件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  不純物・欠陥の電子構造  (BM02100I) ,  その他の無機化合物の格子欠陥  (BK12050B) ,  13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P)

タイトルに関連する用語 (7件)： 走査 ,  拡散抵抗 ,  顕微鏡法 ,  特性化 ,  ホウ素 ,  欠陥 ,  分布