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J-GLOBAL ID：202002285838635061   整理番号：20A1586357

Sr2MgSi2O7における真性欠陥とランタニドイオンの熱力学的安定性と遷移準位【JST・京大機械翻訳】

Thermodynamic Stabilities and Transition Levels of Native Defects and Lanthanide Ions in Sr2MgSi2O7

著者 (5件)： Wen Jun (安慶師范大学 電子工程与智能制造学院,安徽 安慶 246133;安徽師范大学 功能分子固体教育部重点実験室,安徽 蕪湖 241000;安徽師范大学 光電材料科学与技術安徽省重点実験室,安徽 蕪湖 241000) ,  Wang Yan (安慶師范大学 電子工程与智能制造学院,安徽 安慶,246133) ,  Jiang Guisheng (安慶師范大学 電子工程与智能制造学院,安徽 安慶,246133) ,  Guo Hai (浙江師范大学 物理系,浙江 金華,321004) ,  Ning Lixin (安徽師范大学 功能分子固体教育部重点実験室,安徽 蕪湖 241000;安徽師范大学 光電材料科学与技術安徽省重点実験室,安徽 蕪湖 241000)
資料名： Faguang Xuebao  (Faguang Xuebao)
巻： 41  号： 6  ページ： 655-663  発行年： 2020年 
JST資料番号： W1380A  ISSN： 1000-7032  CODEN： FAXUEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： Sr2MgSi2O7のSr2MgSi2O7における欠陥形成エネルギー,熱力学的転移準位,および光遷移準位を,標準PBE0汎関数に基づくハイブリッド密度汎関数理論(DFT)を用いて計算し,Sr2MgSi2O7のそれらの欠陥形成エネルギー,熱力学的転移準位,および光遷移エネルギー準位を計算した。Eu2+,Dy3+の熱ルミネセンス,および長いアフターグロー発光の過程の間に果たす役割を示した。PBE0計算の結果,欠陥VO,SrMg,MgSrおよびSrMg-MgSrは,還元雰囲気下で調製したSr2MgSi2O7材料中に容易に生成した。PBE0計算の基質バンドギャップ(7.18eV)と欠陥形成エネルギーに基づいて、上述の比較的に形成しやすい欠陥と複合対及びランタニドイオンの熱力学遷移エネルギー準位と光遷移エネルギー準位が得られた。理論計算結果と実験により決定したトラップ深さの直接対比により、電気中性及び負電荷を有する酸素空孔とDy3+イオンは、この材料中の電子トラップとして、その熱ルミネセンスと長いアフターグロー発光に寄与する。本研究の目的は,Sr2MgSi2O7:Eu2+,Dy3+の熱ルミネセンス,および長いアフターグロー発光機構を,第一原理計算の第一性原理によって深く理解することであり,従って,実験研究の手段として有効な補完である。Data from Wanfang. Translated by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： アフターグロー ,  エネルギー準位 ,  *熱力学 ,  熱ルミネセンス ,  発光 ,  汎関数 ,  負電荷 ,  密度汎関数法 ,  バンドギャップ
準シソーラス用語： 第一原理計算 ,  酸素空格子点 ,  理論計算 ,  還元雰囲気 ,  *固有欠陥 ,  欠陥形成 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 無機化合物のルミネセンス  (BM08093J)

タイトルに関連する用語 (4件)： 真性欠陥 ,  ランタニドイオン ,  熱力学的安定性 ,  遷移