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J-GLOBAL ID：202002285863330100   整理番号：20A0838874

InN量子ドットのMOCVD成長と特性評価【JST・京大機械翻訳】

MOCVD Growth and Characterization of InN Quantum Dots

著者 (6件)： Reilly Caroline E. (Materials Department, University of California, Santa Barbara, CA, 93106, USA) ,  Nakamura Shuji (Materials Department, University of California, Santa Barbara, CA, 93106, USA) ,  Nakamura Shuji (Electrical and Computer Engineering Department, University of California, Santa Barbara, CA, 93106, USA) ,  DenBaars Steven P. (Materials Department, University of California, Santa Barbara, CA, 93106, USA) ,  DenBaars Steven P. (Electrical and Computer Engineering Department, University of California, Santa Barbara, CA, 93106, USA) ,  Keller Stacia (Electrical and Computer Engineering Department, University of California, Santa Barbara, CA, 93106, USA)
資料名： Physica Status Solidi. B. Basic Solid State Physics  (Physica Status Solidi. B. Basic Solid State Physics)
巻： 257  号： 4  ページ： e1900508  発行年： 2020年 
JST資料番号： C0599A  ISSN： 0370-1972  CODEN： PSSBBD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 金属-極性InN量子ドット(QD)を500~600°Cの温度で有機金属化学蒸着により成長させた。4×10~8と4×10~10cm-2の間のドット密度を観測した。InN QDは1100から>1550nmまでのピーク波長をもつ室温光ルミネセンス(PL)を示した。InN QD上に成長させたGaNキャップ層は,InN QDデバイスに対して多層構造を形成するためのステップであるピークPL波長または強度にほとんど影響を及ぼさなかった。Copyright 2020 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 窒化物 ,  光ルミネセンス ,  *MOCVD ,  薄膜 ,  多層構造 ,  *量子ドット ,  波長 ,  窒化ガリウム ,  キャラクタリゼーション ,  極性
準シソーラス用語： キャップ層 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 有機金属化学蒸着 ,  窒化物 ,  量子ドット ,  薄膜

分類 (2件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： InN ,  量子ドット ,  MOCVD ,  成長 ,  特性評価