多機能標準化磁気トンネル接合スタック埋込みセンサ,メモリおよび発振器機能性【JST・京大機械翻訳】

Chavent A.; Iurchuk V.; Tillie L.; Bel Y.; Lamard N.; Vila L.; Ebels U.; Sousa R.C.; Dieny B.; di Pendina G.; Prenat G.; Langer J.; Wrona J.; Prejbeanu I.L.

文献

J-GLOBAL ID：202002285955236762 整理番号：20A0791255

多機能標準化磁気トンネル接合スタック埋込みセンサ,メモリおよび発振器機能性【JST・京大機械翻訳】

A multifunctional standardized magnetic tunnel junction stack embedding sensor, memory and oscillator functionality

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資料名：
巻： 505 ページ： Null 発行年： 2020年
JST資料番号： H0644A ISSN： 0304-8853 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

本研究の目的は,単一ベースライン技術の中で,論理,メモリおよびアナログ機能を実現できる普遍的な磁気トンネル接合スタック(MTJ)を開発することにより,CMOS内で複数のディジタルおよびアナログ機能を一緒に統合することである。これにより,モノリシック不均一集積,高速および低電力処理,および高集積密度,特にモノのインターネット(IoT)プラットフォームに対して有用である。このユニークなスピン移動トルク(STT)MTJは多機能標準化スタック(MSS)と呼ばれる。本論文では,この技術をターゲットとしたメモリ,発振器およびセンサ機能に関する進歩について述べた。同じウエハ上でこれらの3つの機能性を得るために,単一磁気スタック堆積を用いることができることを示した。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

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酸化物結晶の磁性 , 発振回路 , 磁性流体 , 磁区・磁化過程一般 , 電子・磁気・光学記録

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