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J-GLOBAL ID：202002286135872465   整理番号：20A0917839

AlGaN/GaNヘテロ接合高電子移動度トランジスタのための解析的電熱I_DSモデルによる改良準物理領域分割モデル【JST・京大機械翻訳】

Improved quasi-physical zone division model with analytical electrothermal I_ds model for AlGaN/GaN heterojunction high electron mobility transistors

著者 (7件)： Chen Yongbo (School of Electronic Science and Engineering, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, China) ,  Xu Yuehang (School of Electronic Science and Engineering, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, China) ,  Wang Feng (Department of Technology, Chengdu HiWafer Semiconductor Co., Ltd., Chengdu, China) ,  Wang Changsi (Department of Technology, Chengdu HiWafer Semiconductor Co., Ltd., Chengdu, China) ,  Zhang Yong (School of Electronic Science and Engineering, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, China) ,  Yan Bo (School of Electronic Science and Engineering, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, China) ,  Xu Ruimin (School of Electronic Science and Engineering, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, China)
資料名： International Journal of Numerical Modelling: Electronic Networks, Devices and Fields  (International Journal of Numerical Modelling: Electronic Networks, Devices and Fields)
巻： 33  号： 3  ページ： e2630  発行年： 2020年 
JST資料番号： T0597A  ISSN： 0894-3370  CODEN： IJNFEX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： AlGaN/GaN HEMTのための正確な解析的電熱ドレイン電流(I_ds)モデルをこのレターで提示した。このモデルを,実証目的のために最近提案された準物理ゾーン分割(QPZD)モデルに実装した。元のQPZDモデルと比較して,その電熱特性は,より基本的な温度依存要素を含むことによって強化される。さらに,これらの要素を,以前の純粋な経験的フィッティング法の代わりに物理的機構に基づいて解析的に導出した。したがって,抽出されたパラメータ値は固有値に近い。住宅0.15μm GaN HEMTを検証に用いた。広い周囲温度範囲(245~390K)で測定したデータと比較して,この電熱モデルは,GaN HEMTのDC特性とRF性能を予測するための良好な精度を実証した。Copyright 2020 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *ヘテロ接合 ,  固有値 ,  *セグメンテーション ,  *電気加熱 ,  温度依存性 ,  *窒化ガリウム ,  *HEMT
準シソーラス用語： ドレイン電流 ,  GaN HEMT ,  *AlGaN/GaN , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： 電熱モデル ,  GaN高電子移動度トランジスタ(HEMT) ,  QPZDモデル

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (9件)： AlGaN ,  GaN ,  ヘテロ接合 ,  高電子移動度トランジスタ ,  解析 ,  電熱 ,  モデル ,  物理 ,  領域分割