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J-GLOBAL ID：202002286200046028   整理番号：20A0552438

ゲートヘテロ接合におけるトンネルダイオード様輸送のヒント【JST・京大機械翻訳】

Hints of tunnel diode-like transport in a gated heterojunction

著者 (1件)： Di Girolamo Flavia Viola (Istituto Nazionale di Fisica Nucleare and Dipartimento di Fisica, Universita di Pisa, Largo B. Pontecorvo 3, 56127 Pisa, Italy)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 127  号： 7  ページ： 075501-075501-6  発行年： 2020年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： トンネルダイオードの古典的理論を含むモデルを構築し,T6/PDI-8CN_2ゲートヘテロ接合に及ぼす負のトランスコンダクタンス効果を記述した。元の論文で示した伝達曲線のあてはめを行い,ヘテロ接合の基礎となる厚さに対するフィッティングパラメータの依存性を解析した。良好な一致は,素子中の電荷輸送のより正確な説明が,界面での蓄積P-Nダイオード様構造の形成と,二つの半導体の特定の性質によって決まるゲート電圧の間隔に対するトンネリング電流の出現に依存することを示唆した。Copyright 2020 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *ヘテロ接合 ,  *ダイオード ,  曲線あてはめ ,  界面 ,  *トンネルダイオード ,  相互コンダクタンス ,  半導体
準シソーラス用語： トンネル電流 ,  ゲート電圧 ,  電荷輸送 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P) ,  ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (5件)： ゲート ,  ヘテロ接合 ,  トンネルダイオード ,  輸送 ,  ヒント