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J-GLOBAL ID：202002286247509100   整理番号：20A2223686

小角ねじれ二層グラフェンにおける電荷秩序とMott絶縁基底状態【JST・京大機械翻訳】

Charge order and Mott insulating ground states in small-angle twisted bilayer graphene

著者 (1件)： Klug Markus J (Institut fuer Theorie der Kondensierten Materie, Karlsruher Institut fuer Technologie, 76131 Karlsruhe, Germany)
資料名： New Journal of Physics (Web)  (New Journal of Physics (Web))
巻： 22  号： 7  ページ： 073016 (18pp)  発行年： 2020年 
JST資料番号： U7017A  ISSN： 1367-2630  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,小角ねじれ二層グラフェンの電子秩序の状態を決定した。基底状態を,そのマジック値からねじれ角の距離を変えるための代表である弱および強結合に対して決定した。弱い結合領域では,電荷密度波が現れ,並進とC_3回転対称性が破れた。強いカップリング-レジームにおいて,全ての整合モアレバンド充填に対して,回転および並進対称性のMott絶縁状態を見出した。4電子までホストする超格子サイトの局所占有に依存して,グローバルスピン-(強磁性)と谷対称性も破壊され,これは,整合バンド充填の実験で観測されるように,減少したLandau準位縮退を生じさせる可能性がある。これらの特定の電子秩序の形成を,超格子のAB-およびBA-積層領域により形成された1つの六角形に属するすべての局在状態を接続する特徴的な非局所相互作用の重要な役割に遡った。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 超格子 ,  *基底状態 ,  強磁性 ,  相互作用 ,  対称性 ,  結合部位 ,  Landau準位 ,  局在状態 ,  電荷密度波 ,  *ねじり変形 ,  並進 ,  縮退 ,  強結合
準シソーラス用語： *二層グラフェン ,  並進対称性 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 超伝導体の物性一般  (BM04021A)

タイトルに関連する用語 (5件)： ねじれ ,  二層グラフェン ,  電荷秩序 ,  絶縁 ,  基底状態