[数式:原文を参照]薄膜における異常Hall効果【JST・京大機械翻訳】

Blinov M. I.; Chernenko V.; Chernenko V.; Chernenko V.; Prudnikov V. N.; Aseguinolaza I. R.; Barandiaran J. M.; Lahderanta E.; Granovsky A. B.; Granovsky A. B.; Granovsky A. B.

文献

J-GLOBAL ID：202002286273824998 整理番号：20A2021400

[数式:原文を参照]薄膜における異常Hall効果【JST・京大機械翻訳】

Anomalous Hall effect in [Formula : see text] thin films

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資料名：
巻： 102 号： 6 ページ： 064413 発行年： 2020年
JST資料番号： D0746A ISSN： 2469-9950 CODEN： PRBMDO 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

MgO(001)基板上にエピタキシャル成長したホイスラー型[数式:原文を参照](at.%)磁性形状記憶合金の薄膜における磁気特性,電気抵抗率,磁気抵抗,Hall効果抵抗率,[数式:原文を参照]の温度依存性を調べた。結果は,約230Kでのマルテンサイト変態,約285Kの予マルテンサイト転移,および380K付近のオーステナイトのCurie温度を明らかにした。実験磁化データを用いて,いくつかの磁場範囲(0.1-1,0-5,8-16,0-16kOe)で全Hall抵抗曲線[数式:原文を参照]をフィッティングすることにより,通常のHall効果(NHE),[数式:原文を参照],異常Hall効果(AHE),[数式:原文を参照]の係数を得た。両係数[数式:原文を参照]と[数式:原文を参照]は磁場に強く依存する。また,Hall効果抵抗率を,高磁場間隔(8~16kOe)から得た係数[数式:原文を参照]と[数式:原文を参照]を用いて表現し,最後の項,[数式:原文を参照]をトポロジーHall効果または反強磁性Hall効果のどちらかに対応すると考えた。[数式:原文を参照]の得られた温度依存性と大きさは,スカイミオンまたは反空位の存在を廃棄した。NHEとAHE係数の通常の磁場依存性は反強磁性相関と電子構造への磁場の影響によって生成されると結論した。Copyright 2020 The American Physical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

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金属結晶の電子伝導

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