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J-GLOBAL ID：202002286337165150   整理番号：20A1068891

熱電効果を用いて評価したスピン被覆ナノ結晶PbS薄膜の電気的および光電気的性質【JST・京大機械翻訳】

Electrical and photo-electrical properties of spin-coated nanocrystalline PbS thin films evaluated using thermoelectric effect

著者 (2件)： Vankhade Dhaval (Dr. K. C. Patel Research and Development Centre, Charotar University of Science and Technology, Changa, Anand District, Gujarat 388421, India) ,  Chaudhuri Tapas K. (Applied Physics Department, Sardar Vallabhbhai National Institute of Technology, Surat, Gujarat 395007, India)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 127  号： 17  ページ： 175107-175107-9  発行年： 2020年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ナノ結晶(NC)PbS膜は調整可能な光検出器および太陽電池として使用される可能性があるが,それらの電気的性質はまだ理解されていない。スピンコーティングにより堆積したNC PbS薄膜の電気的および光電気的性質を調べた。膜はp型で光伝導性である。暗所および照射下の膜の電気伝導率(σ),熱電能(α_th),正孔濃度(p)および移動度(μ)を77~300Kの温度範囲で測定した。これらのパラメータは77~150Kの低温領域(LTR)と250~300Kの高温領域(HTR)で異なる挙動を示した。LTRにおいて,暗いpは一定(~10~14cm-3)であったが,HTRでは熱的に活性化された。LTRでは,暗μは不純物散乱によりT~1.5と変化し,一方,HTRでは,μは格子散乱によりT~-(4.2~9.2)と変化した。光下では,pはLTRにおいて~10~18cm-3であったが,熱消光はHTRにおいて起こり,伝導帯の下に電子トラップが存在することを示唆し,それは増感中心として作用した。消光エネルギーは130~90meVであり,膜厚と共に変化した。照射PbS膜のμは格子散乱によりT~nの温度と共に減少した。NC PbS膜はLTRにおいて高い光伝導率を示し,光伝導率は10~3であった。光伝導を増感中心による少数キャリアのトラッピングに基づいて説明した。Copyright 2020 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 移動度 ,  光伝導 ,  散乱 ,  消光 ,  太陽電池 ,  低温 ,  電気伝導率 ,  *薄膜 ,  増感 ,  伝導バンド ,  少数キャリア ,  *硫化鉛 ,  *スピンコーティング ,  *ナノ結晶
準シソーラス用語： トラッピング , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (7件)： 熱電効果 ,  評価 ,  スピン被覆 ,  ナノ結晶 ,  PbS ,  薄膜 ,  電気的性質