異なる単一量子井戸構造における電子および正孔状態に対する量子井戸幅の効果【JST・京大機械翻訳】

Rueangnetr N; Sivalertporn K

文献

J-GLOBAL ID：202002286483239009 整理番号：20A0396933

異なる単一量子井戸構造における電子および正孔状態に対する量子井戸幅の効果【JST・京大機械翻訳】

Effect of quantum well width on the electron and hole states in different single quantum well structures

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資料名：
巻： 1380 号： 1 ページ： 012082 (4pp) 発行年： 2019年
JST資料番号： W5565A ISSN： 1742-6588 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

本研究において,二乗QW,ステップQWおよび傾斜QWを含むAl_0.33Ga_0.67As/GaAs単一量子井戸構造における電子および正孔状態を,実際の空間におけるSchroedinger方程式を解くことによって理論的に研究した。電子と正孔のエネルギーと波動関数を異なる井戸幅に対して計算した。電子と正孔のエネルギー準位は井戸幅の増加とともに減少することが分かった。ステップ又は傾斜層の添加は電子及び正孔エネルギー準位の減少をもたらした。傾斜単一量子井戸構造における基底状態エネルギー準位は,ステップ単一量子井戸構造におけるそれより低い。電子と正孔基底状態のエネルギーはステップ層の幅が増加すると変化しないことも分かった。これは,基底状態がより低い井戸だけを占めるためである。波動関数は対称(基底状態)と反対称(第一励起状態)である。基底状態波動関数の最大値は井戸の中心にあり,励起状態における電子と正孔の発見確率は各領域で異なる。正孔準位は,電子と比較して,井戸深さが低く,正孔の質量が高いため,電子準位よりも低い。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

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半導体レーザ , 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合 , 半導体結晶の電子構造

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