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J-GLOBAL ID：202002286560033790   整理番号：20A1020697

SOI上のカスケードMMIに基づく偏光ビームスプリッタの設計と解析【JST・京大機械翻訳】

Design and analysis of polarization beam splitter based on cascaded MMI on SOI

著者 (3件)： Chack Devendra (Indian Institute of Technology (Indian School of Mines), Dhanbad (India)) ,  Hassan Shamsul (Indian Institute of Technology (Indian School of Mines), Dhanbad (India)) ,  Kumar Abhishek (Indian Institute of Technology (Indian School of Mines), Dhanbad (India))
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 11283  ページ： 1128320-6  発行年： 2020年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： カスケード多モード干渉結合器に基づく高消光比偏光ビームスプリッタ(PBS)を,3Dビーム伝搬法(BPM)を用いて絶縁体基板上のシリコン上に設計した。数値シミュレーションツールは,偏光消光比がCバンド波長範囲にわたるTEとTM偏光の両方に対して20dB以上であることを示した。提案した素子はTEとTM偏光に対して波長1550nmで0.8dB以下の挿入損失をもつ。偏光ビームスプリッタは,MMI結合器の幅と長さに関して,コンパクトなサイズと緩和された製造許容性を有している。これらのパラメータは,偏光ダイバーシチ回路とフォトニック集積回路の有望な要素となる。COPYRIGHT SPIE. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *偏光 ,  ケイ素 ,  結合器 ,  ダイバーシチ通信 ,  波長 ,  挿入損 ,  光集積回路 ,  三次元 ,  消光比 ,  絶縁体
準シソーラス用語： ビーム伝搬法 ,  多モード干渉 ,  *偏光ビームスプリッタ ,  波長領域 ,  シミュレーションツール , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 光デバイス一般  (BD06010L)

タイトルに関連する用語 (5件)： SOI ,  カスケード ,  偏光ビームスプリッタ ,  設計 ,  解析