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文献
J-GLOBAL ID:202002286765708156   整理番号:20A0275057

フローティングゾーンシリコンを用いた集積型シリコンオンインシュレータモノリシック画素検出器の開発【JST・京大機械翻訳】

Development of integration-type silicon-on-insulator monolithic pixel detectors using a float zone silicon
著者 (4件):
資料名:
巻: 953  ページ: Null  発行年: 2020年 
JST資料番号: D0208B  ISSN: 0168-9002  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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本論文では,高速X線残留応力測定システムのためのシリコンオンインシュレータ(SOI)技術を用いたモノリシックピクセル検出器の開発について述べた。従来の二次元X線検出器は,それらの大きな画素サイズと遅い読み出しのため,高速X線残留応力測定に適していない。この理由のために,より小さい画素からなる高感度SOIモノリシックピクセル検出器を開発し,より迅速なX線残留応力測定読み出しを提供することができた。検出器は0.2μm CMOS完全空乏化SOIプロセスを用いて作製した。SOIウエハは,厚い高抵抗Siウエハと低抵抗Si CMOSウエハを直接接合することにより作製した。このプロセスは機械的バンプ接合を使用しない。高速X線残留応力測定システム用の集積型SOI画素検出器INTPIX4を開発した。それはフロートゾーン(FZ)またはCzochralski(Cz)シリコンウエハを使用する。CZ SOI検出器は2005年以来使用されている。2011年以降,FZ SOI検出器の作製に成功した。本論文では,FZシリコンを用いたSOIモノリシックピクセル検出器の最近の進歩と試験結果を述べ,それらをCz検出器を用いて得られた結果と比較した。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (3件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
放射線検出・検出器  ,  素粒子・核物理実験計測用エレクトロニクス  ,  素粒子・核物理実験技術一般 
タイトルに関連する用語 (5件):
タイトルに関連する用語
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