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J-GLOBAL ID：202002286876745549   整理番号：20A0451371

欠陥と歪変調高効率ZnO UV検出器:温度と低圧依存研究【JST・京大機械翻訳】

Defect and strain modulated highly efficient ZnO UV detector: Temperature and low-pressure dependent studies

著者 (4件)： Khan Mustaque A. (Materials Research Centre, Indian Institute of Science, Bengaluru 560012, India) ,  Singha Monoj Kumar (Dept. of Instrumentation and Applied Physics, Indian Institute of Science, Bengaluru 560012, India) ,  Nanda Karuna K. (Materials Research Centre, Indian Institute of Science, Bengaluru 560012, India) ,  Krupanidhi Saluru B. (Materials Research Centre, Indian Institute of Science, Bengaluru 560012, India)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 505  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 広いバンドギャップ(~3.3eV)材料であるZnOを紫外線光検出に用いることができる。自動化超音波噴霧熱分解システムによりガラス基板上にZnO薄膜を堆積した。X線回折(XRD),Raman分光法は,調製した膜の六方晶ウルツ鉱相を示唆し,走査電子顕微鏡はその微細花様構造を明らかにした。光検出器素子を金属-半導体-金属(M-S-M)配置で作製した。24.38AW-1の最も高い応答性が,365nmのUV照射に対して,8283%の対応する外部量子効率(EQE)値で,5Vの印加バイアスで達成された。デバイスのオン/オフ比は,低いUV強度(1.66mWcm-2)に対してさえ454であり,UV光検出器デバイスの対応する検出能は4.6×1012cmHz~1/2W-1である。観測された応答性の高い値はZnOマイクロフラワー中の大量の酸素空孔に帰属された。光電流の振動は低い空気圧で観測され,ZnO表面上の吸収と脱着酸素の競合的な動的過程に帰属された。欠陥状態における電荷キャリアのトラッピング-デトラッピングと格子フォノンとの相互作用に基づいて,温度依存性光電気特性を解析した。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： バンドギャップ ,  *酸化亜鉛 ,  電気特性 ,  脱着 ,  半導体 ,  超音波 ,  フォノン ,  自動化 ,  酸素 ,  走査電子顕微鏡 ,  光電流 ,  X線回折 ,  温度依存性 ,  紫外線 ,  六方晶系

著者キーワード (6件)： 酸化亜鉛マイクロフラワー ,  光検知器 ,  酸素空孔 ,  温度効果 ,  トラップ状態 ,  Electron-フォノン散乱

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (8件)： 欠陥 ,  歪 ,  変調 ,  高効率 ,  ZnO ,  UV検出 ,  低圧 ,  研究