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J-GLOBAL ID：202002286902893043   整理番号：20A0881391

ナノギャップ加工したg-C_3N_4/Ag@SiO_2ハイブリッドナノ構造における増強された光触媒活性に関連した電子構造【JST・京大機械翻訳】

Electronic structures associated with enhanced photocatalytic activity in nanogap-engineered g-C₃N₄/Ag@SiO₂ hybrid nanostructures

著者 (11件)： Huang Yu-Cheng (Department of Electrophysics, National Chiao Tung University, Hsinchu 30010, Taiwan) ,  Huang Yu-Cheng (Research Center for X-ray Science & Department of Physics, Tamkang University, Tamsui 25137, Taiwan) ,  Thanigai Arul K. (Research Center for X-ray Science & Department of Physics, Tamkang University, Tamsui 25137, Taiwan) ,  Chen Chi-Liang (National Synchrotron Radiation Research Center, 101 Hsin-Ann Road, Hsinchu 30076, Taiwan) ,  Chen Jeng-Lung (National Synchrotron Radiation Research Center, 101 Hsin-Ann Road, Hsinchu 30076, Taiwan) ,  Chen Jie (International Research Center for Renewable Energy State Key Laboratory of Multiphase Flow in Power Engineering, Xi’an Jiaotong University, Xi’an, Shaanxi 710049, China) ,  Shen Shaohua (International Research Center for Renewable Energy State Key Laboratory of Multiphase Flow in Power Engineering, Xi’an Jiaotong University, Xi’an, Shaanxi 710049, China) ,  Lu Ying-Ru (National Synchrotron Radiation Research Center, 101 Hsin-Ann Road, Hsinchu 30076, Taiwan) ,  Kuo Chun-Hong (Institute of Chemistry, Academia Sinica, Taipei 11529, Taiwan) ,  Dong Chung-Li (Research Center for X-ray Science & Department of Physics, Tamkang University, Tamsui 25137, Taiwan) ,  Chou Wu-Ching (Department of Electrophysics, National Chiao Tung University, Hsinchu 30010, Taiwan)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 514  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 黒鉛窒化炭素(g-C_3N_4)は,水の分割による光触媒太陽水素製造における使用に関して,かなりの注意を引き付けた。高電荷キャリア再結合は,g-C_3N_4の光触媒活性を決定的に制限する。局在表面プラズモン共鳴(LSPR)を発生できるプラズモン金属ナノ粒子は可視光の収穫を増強し,水分解効率を改善することが示唆されている。しかしながら,金属ナノ粒子とg-C_3N_4の間の直接接触は,Forster共鳴エネルギー移動(FRET)によるエネルギー損失により水素発生効率を低下させ,これはプラズモン共鳴エネルギー移動(PRET)と競合する。Ag@SiO_2コア-シェルプラズモンナノ粒子によるg-C_3N_4の修飾は,その光触媒能力を増加させた。SiO_2ナノギャップのサイズを調整することは,g-C_3N_4/Ag@SiO_2の光触媒性能を最適化することができた。それは,PRETとFRETの間のトレードオフを含んだ。X線吸収分光法(XAS)を用いて,g-C_3N_4の電子構造とAg@SiO_2によるその変調を研究した。その場XASは,太陽光照射下での電荷キャリアの動力学を明らかにした。解析結果は,電荷再分布,伝導帯のシフト,非占有状態の修正,および太陽光照射による光触媒活性の改善を示唆した。本研究は,この光触媒に対するLSPRの電子構造に対する影響を明らかにした。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 伝導バンド ,  電荷 ,  X線吸収分光法 ,  *触媒活性 ,  太陽光 ,  *ナノ構造 ,  プラズモン ,  ナノ粒子 ,  最適化 ,  エネルギー損失 ,  *電子構造 ,  *光触媒 ,  グラファイト ,  可視光 ,  キャリア再結合

著者キーワード (3件)： G-C_3N_4 ,  局在表面プラズモン共鳴 ,  X線吸収分光法

分類 (2件)： 光化学一般  (CB08010U) ,  下水,廃水の化学的処理  (SC03050W)

タイトルに関連する用語 (5件)： ナノギャップ ,  ナノ構造 ,  増強 ,  光触媒活性 ,  電子構造