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J-GLOBAL ID：202002287022064470   整理番号：20A1070751

表面結合エネルギーの測定:古典的二重カンチレバービーム実験とそのナノスケール類似体の比較【JST・京大機械翻訳】

Measuring the surface bonding energy: A comparison between the classical double-cantilever beam experiment and its nanoscale analog

著者 (5件)： Pantzas K. (Centre de Nanosciences et de Nanotechnologies, C2N UMR 9001, CNRS - Universite Paris-Sud - Universite Paris-Saclay, F-91120 Palaiseau, France) ,  Fournel F. (CEA LETI, Minatec Campus, F-38000 Grenoble, France) ,  Talneau A. (Centre de Nanosciences et de Nanotechnologies, C2N UMR 9001, CNRS - Universite Paris-Sud - Universite Paris-Saclay, F-91120 Palaiseau, France) ,  Patriarche G. (Centre de Nanosciences et de Nanotechnologies, C2N UMR 9001, CNRS - Universite Paris-Sud - Universite Paris-Saclay, F-91120 Palaiseau, France) ,  Le Bourhis E. (Institut P’, CNRS - Universite de Poitiers - ENSMA - UPR 3346, SP2MI, F-86962 Futuroscope Chasseneuil Cedex, France)
資料名： AIP Advances (Web)  (AIP Advances (Web))
巻： 10  号： 4  ページ： 045006-045006-8  発行年： 2020年 
JST資料番号： U7121A  ISSN： 2158-3226  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ウエハ結合半導体における結合エネルギーを測定するために開発した二重片持梁実験の二つの実験的実装を初めて比較した。比較は,マイクロエレクトロニクスとシリコンフォトニクスに関連する二つの材料の組合せ,絶縁体上のSiとSi上のInPについて行った。2つの実装は測定した試料面積のスケール,測定条件,およびそれらが適用される作製プロセスにおけるステップにおいて異なるが,それらは実験誤差内の結合エネルギーに対して同じ値を与えることを示した。両方の方法は,試料がアニーリングを受けるとき,結合エネルギーの発展において同じ傾向を示した。Copyright 2020 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *結合エネルギー ,  焼なまし ,  半導体 ,  ケイ素 ,  リン化インジウム ,  類似物質 ,  マイクロエレクトロニクス ,  絶縁体
準シソーラス用語： *ナノスケール ,  シリコンフォトニクス ,  二重片持梁 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (4件)： 結合エネルギー ,  実験 ,  ナノスケール ,  類似体