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J-GLOBAL ID：202002287186711407   整理番号：20A0579862

フラックス成長CeドープNBT-BT単結晶の誘電および伝導特性【JST・京大機械翻訳】

Dielectric and conductivity properties of flux grown Ce doped NBT-BT single crystals

著者 (4件)： Sundari S. Shanmuga (Crystal Growth Centre, Anna University, Chennai, 600025, Tamilnadu, India) ,  Sundari S. Shanmuga (PSGR Krishnammal College for Women, Coimbatore, 641004, Tamilnadu, India) ,  Kumar Binay (Crystal Lab, Department of Physics and Astrophysics, University of Delhi, Delhi, 110007, India) ,  Dhanasekaran R. (Crystal Growth Centre, Anna University, Chennai, 600025, Tamilnadu, India)
資料名： Physica B. Condensed Matter  (Physica B. Condensed Matter)
巻： 582  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： H0676B  ISSN： 0921-4526  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： NBT-BT格子におけるCeの効果を研究するために,CeO_2の0.4wt%を,そのモルフォトロピック相境界(MPB)組成において0.94(Na_0.5Bi_0.5TiO_3)-0.06BaTiO_3に添加し,フラックスとしてBi_2O_3を用いたフラックス法により単結晶を成長させた。構造研究はXRDとRaman分析により行った。20Hz~2MHzの範囲で種々の周波数に対して室温から400°Cまで誘電定数を測定した。反強誘電温度領域はNBT-BTへのCeの添加により増加した。誘電損失の最大値もCe添加により0.4%から0.1%に減少することが分かった。導電率とインピーダンス分析を行い,Ce-NBT-BT単結晶の緩和過程を研究した。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： リラクサ ,  緩和現象 ,  誘電率 ,  X線回折 ,  *単結晶 ,  *ドーピング ,  *セリウム ,  活性化エネルギー ,  相境界 ,  インピーダンス ,  誘電損失 ,  誘電緩和 ,  *フラックス法 ,  電気伝導率
準シソーラス用語： 温度範囲 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： リラクサ強誘電体 ,  結晶成長 ,  誘電緩和 ,  X線回折 ,  活性化エネルギー

分類 (1件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B)

タイトルに関連する用語 (7件)： フラックス成長 ,  Ce ,  ドープ ,  NBT ,  BT ,  単結晶 ,  伝導