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J-GLOBAL ID：202002287269933109   整理番号：20A1484316

Hall効果を用いた非晶質金属酸化物半導体薄膜トランジスタにおけるキャリア移動度の解析【JST・京大機械翻訳】

Analysis of Carrier Mobility in Amorphous Metal-Oxide Semiconductor Thin-Film Transistor Using Hall Effect

著者 (3件)： Imanishi Kota (Department of Electronics and Informatics, Ryukoku University, Otsu, Japan) ,  Matsuda Tokiyoshi (High-Tech Research Center, Ryukoku University, Otsu, Japan) ,  Kimura Mutsumi (Department of Electronics and Informatics, Ryukoku University, Otsu, Japan)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 41  号： 7  ページ： 1025-1028  発行年： 2020年 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 非晶質金属酸化物半導体(AOS)薄膜トランジスタ(TFT)のキャリア移動度をHall効果を用いて解析した。最初に,非晶質Ga-Sn-O(a-GTO)TFTおよび正方形形状に配列した4電極を有するものを作製した。次に,a-GTO TFTのトランジスタ特性を測定し,電界効果移動度(μ_SiWFE|Δ)を計算した。さらに,4つの電極を有するa-GTO TFTのHall効果を,van der Pauw法を用いて測定し,Hall移動度(μ_SiWHall Hubbard)を計算した。最後に,ゲート電圧(V_SiWgs|Δ)に対するμ_SiWFE||の依存性はμ_SiWHall Hubbardのそれと同様であり,キャリア移動度(μ)はV_gが増加するにつれ増加することを見出した。結論として,AOS TFTにおけるμはチャネル層におけるパーコレーション経路に強く影響されることが示唆された。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： Hall移動度 ,  *Hall効果 ,  *キャリア移動度 ,  *トランジスタ ,  *薄膜トランジスタ ,  *非晶質 ,  パーコレーション
準シソーラス用語： 電界効果移動度 ,  van der Pauw法 ,  ゲート電圧 ,  金属酸化物半導体 ,  チャネル層 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： Hall効果 ,  非晶質金属 ,  酸化物半導体 ,  薄膜トランジスタ ,  キャリア移動度 ,  解析