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J-GLOBAL ID：202002287282702708   整理番号：20A0573889

グラフェン系超高感度歪センサ【JST・京大機械翻訳】

Graphene-Based Ultrasensitive Strain Sensors

著者 (4件)： Singh Amit (Department of Mechanical Engineering, National Chiao Tung University, Taiwan) ,  Lee Seunghan (Department of Physics, Konkuk University, Korea) ,  Watanabe Hiroshi (Department of Electrical and Computer Engineering, National Chiao Tung University, Taiwan) ,  Lee Hoonkyung (Department of Physics, Konkuk University, Korea)
資料名： ACS Applied Electronic Materials  (ACS Applied Electronic Materials)
巻： 2  号： 2  ページ： 523-528  発行年： 2020年 
JST資料番号： W5669A  ISSN： 2637-6113  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 密度関数理論計算を行い,元とドープしたグラフェンの電子特性に及ぼす歪の影響を調べた。一軸および二軸歪の存在下でドープしたグラフェン上で,状態密度(DOS)およびバンド構造の劇的な変化が観察された。歪の存在におけるFermi準位とバンドギャップにおける状態変化の密度の解析は,グラフェンの伝導率に影響を及ぼす歪の役割についての洞察を提供する。バンドギャップは一軸および二軸歪の存在下で広く変調できることを実証した。低濃度のドーパントの存在はセンサの感度を高め,低ドーピング濃度で約0.0001までの歪を検知できる超高感度高性能センサとなり,現在使用されているセンサではほとんど不可能であり,グラフェンを効率的な歪センシング材料に変換することができる。その優れた性能により,歪センサは,実時間運動監視,機械的制御,および健康監視におけるその大きな応用の可能性を示す,微妙で複雑で大きな人間運動監視の必要性を満たすことができる。これらの結果は,グラフェンおよび他の二次元(2D)材料の電気的性質に及ぼす歪効果の理解を高めることができる。Copyright 2020 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： センサ ,  ドーパント ,  軸方向 ,  電気的性質 ,  バンド構造 ,  状態密度 ,  密度汎関数法 ,  Fermi準位 ,  ドーピング ,  バンドギャップ ,  *グラフェン ,  二次元
準シソーラス用語： 歪効果 ,  伝導率 ,  二軸ひずみ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 軸方向歪 ,  二軸歪 ,  状態密度 ,  感度 ,  歪センサ

分類 (1件)： 炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (3件)： グラフェン ,  高感度 ,  歪センサ