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J-GLOBAL ID:202002287331412544   整理番号:20A1884169

ジスチリルベンゼン誘導体を用いる低次元微細構造の作製

Fabrication of low-dimensional microstructures with distyrylbenzene derivatives
著者 (6件):
資料名:
巻: 59  号: SD  ページ: SDDA07 (5pp)  発行年: 2020年03月 
JST資料番号: G0520B  ISSN: 0021-4922  CODEN: JJAPB6  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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1,4-ビス-(4-メチルスチリル)ベンゼン(DSB-4Me)のマイクロ針結晶とビス(N,N-ジ-p-トリルアミノ-p-スチリル)ベンゼン(DADSB)の非晶質マイクロドットをマスク遮蔽と従来の蒸着法を用いて作製した。π共役電子鎖とKCl結晶基板とのイオン格子間の相互作用により,DSB-4Me分子は,[110]KClと[-110]KClに対して±60°の4方向にエピタキシャル成長した針状結晶に成長する。DADSBについては,堆積中180°CにKCl基板を加熱することにより,マイクロドットに自己組織化するのは,DADSB外側の嵩高い基の影響と堆積分子の表面移動に起因する。さらに,DSB-4Meマイクロ針結晶において増強自発発光が362μJcm-2の励起閾値以上で観測されるが,DADSBマイクロドットにおいてより高い導波路品質により37μJcm-2以上の低い閾値でささやき回廊モードレーザ発振を観測した。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (2件):
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有機化合物の薄膜  ,  固体レーザ 
物質索引 (2件):
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タイトルに関連する用語 (4件):
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