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J-GLOBAL ID：202002287417997162   整理番号：20A1199987

CdTeの共鳴RamanスペクトルにおけるFano効果【JST・京大機械翻訳】

Fano effect in resonant Raman spectrum of CdTe

著者 (4件)： Medel-Ruiz C.I. (Centro Universitario de los Lagos, Universidad de Guadalajara, Av. Enrique Diaz de Leon 1144, Col. Paseos de la Montana, CP, 47460, Lagos de Moreno, Jal., Mexico) ,  Ladron de Guevara H.Perez (Centro Universitario de los Lagos, Universidad de Guadalajara, Av. Enrique Diaz de Leon 1144, Col. Paseos de la Montana, CP, 47460, Lagos de Moreno, Jal., Mexico) ,  Molina-Contreras J.R. (Departamento de Ingenieria Electrica y Electronica, Instituto Tecnologico de Aguascalientes, Av. Lopez Mateos 1081 Oriente, Fracc. Bona Gens, CP, 20256, Aguascalientes, Ags., Mexico) ,  Frausto-Reyes C. (Centro de Investigaciones en Optica AC, Unidad Aguascalientes, Prolong. Constitucion 607, Fracc. Reserva Loma Bonita, CP, 20200, Aguascalientes, Ags., Mexico)
資料名： Solid State Communications  (Solid State Communications)
巻： 312  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： H0499A  ISSN： 0038-1098  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,非ドープCdTe単結晶の共鳴Raman散乱スペクトルの線形解析を示した。縦光学(LO)フォノンモードに対応する主ピークは非対称的に高周波側に広がることを見いだした。この非対称性を電子-フォノン結合効果に帰着し,スペクトル線形状を記述するためにFano型関数を用いて実証した。このフィッティングにおいて,2つの付加フォノンの弱い寄与(低周波領域における)を付加的に考慮した。その存在は表面による対称性の破壊に起因する。結果は,Fano非対称性パラメータがq=4.5であることを見出した実験データとフィッティングモデルの間の優れた一致を示した。得られた結果は,RamanスペクトルのLOフォノン線形非対称性の起源の理解に寄与するツールである。そして,その使用は,半導体における電子-フォノン結合の強度を調査するために役に立つであろう。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *Ramanスペクトル ,  対称性 ,  単結晶 ,  電子-フォノン相互作用 ,  半導体 ,  フォノン ,  スペクトル線形 ,  非対称性 ,  ドーピング ,  *スペクトル ,  *テルル化カドミウム ,  共鳴Raman散乱 ,  *共鳴Ramanスペクトル
準シソーラス用語： LOフォノン ,  フォノンモード , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： C.共鳴Raman分光法 ,  D.Fano共鳴 ,  D電子-フォノン結合

分類 (3件)： 半導体の赤外スペクトル及びRaman散乱・Ramanスペクトル  (BM08066B) ,  結晶中のフォノン・格子振動  (BL03020Z) ,  無機化合物の赤外スペクトル及びRaman散乱,Ramanスペクトル  (BM08063C)

タイトルに関連する用語 (3件)： CdTe ,  共鳴Ramanスペクトル ,  Fano効果