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J-GLOBAL ID：202002287586860098   整理番号：20A1885086

有機金属気相エピタクシーによるGaおよびN極性GaNナノワイヤ-シェル成長の系統的研究【JST・京大機械翻訳】

A systematic study of Ga- and N-polar GaN nanowire-shell growth by metal organic vapor phase epitaxy

著者 (7件)： Blumberg Christian (Dept. Components for High Frequency Electronics, University of Duisburg-Essen, Lotharstr. 53 (ZHO), 47057 Duisburg, Germany. [e-mail]) ,  Haeuser Patrick ,  Wefers Fabian ,  Jansen Dennis ,  Tegude Franz-Josef ,  Weimann Nils ,  Prost Werner
資料名： CrystEngComm  (CrystEngComm)
巻： 22  号： 33  ページ： 5522-5532  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2462A  ISSN： 1466-8033  CODEN： CRECF4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： AlN/Si(111)テンプレート上のN-およびGa-極性ナノワイヤ上のGaNシェルの有機金属気相エピタクシーを詳細に研究した。所望のシェル形状を達成するためには,窒化物ベースのコア-シェル構造の極性依存性エピタキシャル最適化が必要である。N-極性ワイヤ上では,N_2をキャリアガスとして,最大シェル長さが達成され,一方,長さはH_2によるN_2の置換によって減少した。NW成長テンプレート極性の強い影響が観察され,それは望ましいシェル形状を達成すると考えられる。純N_2下のGa極性ワイヤでは,ワイヤチップの排他的被覆が生じた。シェル成長およびシェル長さの増加は,H_2流の増加を注入することによって得られる。N-およびGa-極性コア-シェル構造における垂直シェル長成長進展を制限するファセットとして,半極性{101}および極性(0001)面を同定した。一方,m平面横方向成長モードは両タイプの極性に対して同一であることが分かった。このデータを用いて,ファセット依存終端,キャリア-ガス依存H-不動態化,Ga-アドアトム長さおよびGa-アド層形成を含む成長モデルをセットアップし,その結果,両極性に対して三次元成長およびシェル形状を調整した。達成された洞察と開発した技術は,最適化された窒化物コア-シェルNWベースのデバイスに必須な,均一な複雑な結晶構造のエピタクシーを可能にする。Copyright 2020 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *エピタクシー ,  結晶構造 ,  最適化 ,  *ガリウム ,  被覆 ,  不動態化 ,  窒化アルミニウム ,  *窒化ガリウム ,  *金属線 ,  ファセット ,  三次元 ,  *MOCVD ,  *ナノワイヤ ,  コアシェル構造
準シソーラス用語： 吸着原子 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (9件)： 有機金属気相エピタクシー ,  Ga ,  極性 ,  GaN ,  ナノワイヤ ,  シェル ,  成長 ,  系統 ,  研究