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J-GLOBAL ID:202002287850180803   整理番号:20A0837365

酸素および水環境におけるIII族リン化物(MP,M=B,Al,GaおよびIn)単分子層の安定性【JST・京大機械翻訳】

Stabilities of group-III phosphide (MP, M = B, Al, Ga and In) monolayers in oxygen and water environments
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巻: 22  号: 14  ページ: 7633-7642  発行年: 2020年 
JST資料番号: A0271C  ISSN: 1463-9076  CODEN: PPCPFQ  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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III族リン化物(MP,M=B,Al,Ga及びIn)単分子層は光触媒,ナノエレクトロニクス及びオプトエレクトロニクスにおいて有望な応用を有する。酸素と水環境におけるそれらの安定性は,それらの実用化にとって重要である。MP単分子層の安定性を調べるために,ab initio分子動力学(AIMD)シミュレーションと組み合わせた密度汎関数理論計算を行い,酸素と水分子との相互作用を説明した。酸素分子はAlP,GaP及びInP単分子層上で自発的に解離することが分かった。一方,対応する単分子層構造はアニーリング後に著しく歪んだ。対照的に,BP単分子層は0.89eVの高い解離障壁のために酸素環境で安定である。水分子は0.42eVの解離エネルギー障壁をもつAlP単分子層上で解離するが,それはO-H結合の破壊なしにBP,GaP及びInP単分子層上に安定に吸着できることを見出した。それにもかかわらず,水分子の数の増加と共に,形成された分子間水素結合は水分子と単分子層の間の相互作用を促進し,GaPとInP単分子層の構造歪をもたらす。酸素分子の近くに水分子を入れると,BP単分子層の酸化障壁は0.75eVに減少し,その安定状態を維持するのに十分高い。この研究は,半導体単分子層の実験的作製と実用化のための環境条件を理論的に提供する。Copyright 2020 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (2件):
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半導体薄膜  ,  液-気界面 

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