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J-GLOBAL ID：202002287875888351   整理番号：20A0489453

水素ドーピングによる金属酸化物における相転移の調整:第一原理研究【JST・京大機械翻訳】

Tuning Phase Transitions in Metal Oxides by Hydrogen Doping: A First-Principles Study

著者 (9件)： Wang Zhaowu (School of Physics and Engineering, Henan University of Science and Technology, Henan Key Laboratory of Photoelectric Energy Storage Materials and Applications, Henan, China) ,  Wang Zhaowu (Hefei National Laboratory for Physical Sciences at the Microscale, CAS Center for Excellence in Nanoscience, School of Chemistry and Materials Science, University of Science and Technology of China, Anhui, China) ,  Wang Zhaowu (National Laboratory of Solid State Microstructures, Nanjing University, China) ,  Wang Xijun (Hefei National Laboratory for Physical Sciences at the Microscale, CAS Center for Excellence in Nanoscience, School of Chemistry and Materials Science, University of Science and Technology of China, Anhui, China) ,  Sharman Edward (Department of Neurology, University of California, California, United States) ,  Li Xiyu (Hefei National Laboratory for Physical Sciences at the Microscale, CAS Center for Excellence in Nanoscience, School of Chemistry and Materials Science, University of Science and Technology of China, Anhui, China) ,  Yang Li (Hefei National Laboratory for Physical Sciences at the Microscale, CAS Center for Excellence in Nanoscience, School of Chemistry and Materials Science, University of Science and Technology of China, Anhui, China) ,  Zhang Guozhen (Hefei National Laboratory for Physical Sciences at the Microscale, CAS Center for Excellence in Nanoscience, School of Chemistry and Materials Science, University of Science and Technology of China, Anhui, China) ,  Jiang Jun (Hefei National Laboratory for Physical Sciences at the Microscale, CAS Center for Excellence in Nanoscience, School of Chemistry and Materials Science, University of Science and Technology of China, Anhui, China)
資料名： Journal of Physical Chemistry Letters  (Journal of Physical Chemistry Letters)
巻： 11  号： 3  ページ： 1075-1080  発行年： 2020年 
JST資料番号： W3687A  ISSN： 1948-7185  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電子相転移による物理的または化学的性質の最適化は,高性能半導体材料の開発に重要である。第一原理計算を用いて,金属酸化物半導体の相転移を変調する代替戦略として水素ドーピング(Hドーピング)を確立した。著者らは,HドーピングがルチルTiO_2またはウルツ鉱ZnOにおける絶縁体から金属への相転移,ルチルVO_2における金属から絶縁体への相転移,およびSnO_2における逐次絶縁体-金属-絶縁体相転移を誘発できることを見出した。Hドーピングは元のバンドギャップ内に欠陥誘起状態を形成するだけでなく,伝導バンド端状態における新しい占有パターンも誘起する。伝導帯端の占有とHドーピング濃度の間の線形関係を見出し,材料の自由キャリア濃度,電気伝導率,光吸収能を正確に調整する可能性を示した。本研究は金属酸化物における電気的相転移を調整する有望な方法を提供すると考えた。Copyright 2020 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 伝導バンド ,  *金属酸化物 ,  絶縁体 ,  第一原理 ,  *相転移 ,  *ドーピング ,  電気伝導率 ,  ルチル ,  酸化亜鉛 ,  *水素 ,  線形性 ,  半導体材料 ,  最適化 ,  バンドギャップ
準シソーラス用語： 第一原理計算 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (4件)： 塩  (CD01050V) ,  絶縁体結晶の電子構造  (BM02070Y) ,  その他の無機化合物の磁性  (BM06060P) ,  分子の電子構造  (BH05010Q)

タイトルに関連する用語 (6件)： 水素 ,  ドーピング ,  金属酸化物 ,  相転移 ,  第一原理 ,  研究