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J-GLOBAL ID:202002287918955179   整理番号:20A2755025

Eu置換Bi_2Se_3単結晶におけるトポロジカル電子構造に及ぼす反強磁性秩序の効果【JST・京大機械翻訳】

Effect of antiferromagnetic order on topological electronic structure in Eu-substituted Bi2Se3 single crystals
著者 (10件):
資料名:
巻:号: 11  ページ: 111108-111108-7  発行年: 2020年 
JST資料番号: U7122A  ISSN: 2166-532X  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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トポロジー反強磁性スピントロニクスは,浮遊場効果や高速動力学などの利点により,新たな分野である。ビスマスカルコゲン化物トポロジー絶縁体では,長距離反強磁性秩序とトポロジー的に保護された状態の共存はほとんど観察されなかった。ここでは,c軸に垂直な磁気モーメントの方向にセットする反強磁性秩序をBi_2Se_3中のEu置換により導入し,従ってBi_2Se_3のトポロジー電子特性に影響する。Eu置換にもかかわらず,Shubnikov-de Haas(SdH)振動を観測した。SdH振動の角度依存性は,Eu置換による非自明なBerry相を有する異方性3DFermi面の兆候を示し,SdH振動の温度依存性は,有効質量が元のBi_2Se_3に匹敵することを明らかにした。これらの結果は,非自明なトポロジー状態がEu置換Bi_2Se_3の反強磁性秩序で生存できることを示唆する。反強磁性スピントロニクス応用に利用できるトポロジー材料の基礎を拡大した。Copyright 2020 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (4件):
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その他の無機化合物の薄膜  ,  半導体結晶の電気伝導  ,  その他の無機化合物の電気伝導  ,  金属結晶の電子伝導 
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