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J-GLOBAL ID：202002287946460196   整理番号：20A2707549

局所的に強化された電場処理(LEEFT)は細胞膜の破壊による細菌不活性化のためのオゾン処理の性能を促進する【JST・京大機械翻訳】

Locally Enhanced Electric Field Treatment (LEEFT) Promotes the Performance of Ozonation for Bacteria Inactivation by Disrupting the Cell Membrane

著者 (3件)： Zhou Jianfeng (School of Civil and Environmental Engineering, Georgia Institute of Technology, Georgia, United States) ,  Wang Ting (School of Civil and Environmental Engineering, Georgia Institute of Technology, Georgia, United States) ,  Xie Xing (School of Civil and Environmental Engineering, Georgia Institute of Technology, Georgia, United States)
資料名： Environmental Science & Technology  (Environmental Science & Technology)
巻： 54  号： 21  ページ： 14017-14025  発行年： 2020年 
JST資料番号： B0839A  ISSN： 0013-936X  CODEN： ESTHA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 水消毒のためのオゾン処理の採用は,その高いオゾン需要と結果としての高いコストによって妨げられる。電場処理は細胞膜の完全性を物理的に破壊することによって細菌を不活性化する。ナノワイヤ修飾電極により,局所増強電場処理(LEEFT)は,効率的な細菌不活性化のための十分な電場強度を誘起するために,必要な電圧を数ボルトに減少させた。本研究では,LEEFTを細菌不活性化のためのオゾン処理の前処理として適用した。結果は,低電圧(<0.4V)LEEFTが次のオゾン処理に明らかな効果を持たないが,高電圧(0.6~1.2V)LEEFTはオゾン不活性化を著しく高めることを示した。LEEFT後,細胞膜が損なわれた多数の生細胞が観察され,選択的平板計数と染色法の両方により示された。増強を誘導する機構は,LEEFTにより発生した膜破壊後のオゾンのより大きな細胞内拡散と引き続くオゾン化で回復できないLEEFTによって生成された初期修復可能細孔によって説明される。前処理プロセスとしてのLEEFTの適用は,オゾン投与量と殺菌副産物の生成を広い不活性化スペクトルで低減するために有益であり,一次水殺菌におけるオゾン処理の適用を促進する。Copyright 2020 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電圧 ,  *電場 ,  *オゾン ,  *細菌 ,  *オゾン処理 ,  消毒 ,  *細胞膜 ,  染色 ,  スペクトル ,  化学修飾電極 ,  電界強度 ,  ナノワイヤ
準シソーラス用語： 低電圧 ,  生細胞 ,  高電場 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： その他の汚染原因物質  (SB05040W) ,  用水の化学的処理  (SC02040E) ,  滅菌法  (EG02040C)

タイトルに関連する用語 (8件)： 強化 ,  電場 ,  細胞膜 ,  破壊 ,  細菌 ,  不活性化 ,  オゾン処理 ,  促進