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J-GLOBAL ID：202002288523126990   整理番号：20A0646926

中赤外応用のための多量ドープゲルマニウム単結晶の成長【JST・京大機械翻訳】

Growth of heavily-doped Germanium single crystals for mid-Infrared applications

著者 (5件)： Sumathi R. Radhakrishnan (Leibniz-Institut fuer Kristallzuechtung (IKZ), Max-Born-Str. 2, 12489 Berlin, Germany) ,  Abrosimov Nikolay (Leibniz-Institut fuer Kristallzuechtung (IKZ), Max-Born-Str. 2, 12489 Berlin, Germany) ,  Gradwohl Kevin-P. (Leibniz-Institut fuer Kristallzuechtung (IKZ), Max-Born-Str. 2, 12489 Berlin, Germany) ,  Czupalla Matthias (Leibniz-Institut fuer Kristallzuechtung (IKZ), Max-Born-Str. 2, 12489 Berlin, Germany) ,  Fischer Jorg (Leibniz-Institut fuer Kristallzuechtung (IKZ), Max-Born-Str. 2, 12489 Berlin, Germany)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 535  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Czochralski(Cz)法によるゲルマニウム(Ge)単結晶の成長において,新しい気相ドーピング法が,n型(リン)とp型(ホウ素)半導体結晶の両方を大量にドープすることを示唆した。いわゆる「ミニCz」法を用いて結晶を成長させ,その構造的および電気的性質について,パルス化結晶を特性化した。対称(400)反射(14arcsec)と非対称(311)反射(11arcsec)の両方で得られたX線回折ロッキング曲線の半値全幅(FWHM)は良好な結晶品質を示した。さらに,成長した結晶は,ホットゾーン最適化なしで,低転位密度(約10~4cm-2のエッチピット密度)を有していた。これまでに3×10~18cm-3までのドーピング濃度が得られており,気相ドーピングが実行可能なルートであり,Czメルト中のドーパントとして固体を用いるとき,従来のドーピング問題のいくつかを解決する可能性があることを意味している。また,固体ドーパント源を用いたアンチモン(Sb)の高ドーピングについても報告する。成長過程におけるSbドープ結晶の非平坦固体-液体界面は,成長縞の典型的なリング構造によって特徴付けられるように,横方向光起電力走査(LPS)測定において見られた。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 界面 ,  ドーピング ,  非対称性 ,  半導体 ,  対称性 ,  *赤外線 ,  メルト ,  *ゲルマニウム ,  ドーパント ,  エッチピット ,  X線回折 ,  アンチモン ,  FWHM ,  *結晶 ,  最適化

著者キーワード (4件)： A2単結晶成長 ,  A2Czochralski法 ,  A1ドーピング ,  B2半導体ゲルマニウム

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： 応用 ,  ドープ ,  ゲルマニウム ,  単結晶の成長