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J-GLOBAL ID：202002288621994572   整理番号：20A0451457

パルスレーザ蒸着した硫化鉛ナノ粒子に基づく多孔性シリコン層の修飾によるケイ素の効果的な不動態化処理【JST・京大機械翻訳】

Pulsed-laser-deposited lead sulfide nanoparticles based decoration of porous silicon layer as an effective passivation treatment for multicrystalline silicon

著者 (9件)： Hajjaji A. (Laboratoire de Photovoltaieque, Centre de Recherches et des Technologies de l’Energie, Technopole de Borj-Cedria, BP 95, 2050 Hammam-Lif, Tunisia) ,  Hajjaji A. (Institut National de la Recherche Scientifique (INRS), Centre Energie, Materiaux et Telecommunications, 1650, Blvd. Lionel-Boulet, Varennes, QC J3X-1S2, Canada) ,  Rebhi A. (Laboratoire de Photovoltaieque, Centre de Recherches et des Technologies de l’Energie, Technopole de Borj-Cedria, BP 95, 2050 Hammam-Lif, Tunisia) ,  Rebhi A. (Institut National de la Recherche Scientifique (INRS), Centre Energie, Materiaux et Telecommunications, 1650, Blvd. Lionel-Boulet, Varennes, QC J3X-1S2, Canada) ,  Ka I. (Institut National de la Recherche Scientifique (INRS), Centre Energie, Materiaux et Telecommunications, 1650, Blvd. Lionel-Boulet, Varennes, QC J3X-1S2, Canada) ,  Trabelsi K. (Laboratoire de Photovoltaieque, Centre de Recherches et des Technologies de l’Energie, Technopole de Borj-Cedria, BP 95, 2050 Hammam-Lif, Tunisia) ,  Gaidi M. (Center of Advanced Research Materials, Research Institute of Sciences and Engineering, University of Sharjah, P.O. Box 27272 Sharjah, United Arab Emirates) ,  Bessais B. (Laboratoire de Photovoltaieque, Centre de Recherches et des Technologies de l’Energie, Technopole de Borj-Cedria, BP 95, 2050 Hammam-Lif, Tunisia) ,  El Khakani M.A. (Institut National de la Recherche Scientifique (INRS), Centre Energie, Materiaux et Telecommunications, 1650, Blvd. Lionel-Boulet, Varennes, QC J3X-1S2, Canada)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 505  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 太陽電池応用を目的とした多結晶シリコン(mc-Si)基板を不動態化するために,多孔質シリコン層上へのPbSナノ粒子(PbS-NPs)のパルスレーザ蒸着(PLD)の利用について報告する。多孔質シリコン(PS)層をmc-Si基板の電気化学的陽極酸化により最初に得て,次にPLD法を用いて室温でPbS-NPsによりPS層を修飾した。50から1200までのレーザアブレーションパルス(N_LP)の数を変えることによって,PbS-NPsの平均サイズを2nmから10nmまで変化させた。X線回折分析はPbS-NPsの結晶品質を確認したが,透過型電子顕微鏡観察はPbS-NPsによるPSの均一な修飾を示した。異なる特性化技術を組み合わせることにより,最良の不動態化をもたらす最適修飾条件としてN_LP=200を同定することができ,最低表面反射率(500nm波長で15%),PS層の最高PL強度(約633nm),最長少数キャリア寿命(裸処理PS層では約430μs,未処理裸mcでは2.2μs)であった。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *ケイ素 ,  *パルスレーザ蒸着 ,  キャラクタリゼーション ,  ポリシリコン ,  アノード酸化 ,  太陽電池 ,  波長 ,  X線回折分析 ,  *硫化鉛 ,  電気化学 ,  *多孔質シリコン ,  *不動態化 ,  *ナノ粒子
準シソーラス用語： 少数キャリア寿命 ,  結晶品質 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： パルスレーザ蒸着 ,  PbSナノ粒子 ,  多孔質シリコン ,  表面不動態化 ,  太陽電池

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (7件)： パルスレーザ蒸着 ,  硫化鉛 ,  ナノ粒子 ,  多孔性シリコン ,  修飾 ,  ケイ素 ,  不動態化