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J-GLOBAL ID：202002288639049837   整理番号：20A1877909

3C-SiCセラミックにおける照射誘起点欠陥とトランスミュータント(H,He,Li,Be,B,Mg,AlおよびP)の相互作用【JST・京大機械翻訳】

Interaction of irradiation-induced point defects with transmutants (H, He, Li, Be, B, Mg, Al and P) in 3C-SiC ceramics

著者 (6件)： Sun Jingjing (College of Science, Zhongyuan University of Technology, Zhengzhou 450007, PR China) ,  You Yu-Wei (School of Mathematics and Physics, Anhui Jianzhu University, Hefei 230601, PR China) ,  Xu Yichun (Key Laboratory of Materials Physics, Institute of Solid State Physics, Chinese Academy of Sciences, P. O. Box 1129, Hefei 230031, PR China) ,  Wu Xuebang (Key Laboratory of Materials Physics, Institute of Solid State Physics, Chinese Academy of Sciences, P. O. Box 1129, Hefei 230031, PR China) ,  Li B.S. (State Key Laboratory of Environmental Friendly Energy Materials, Southwest University of Science and Technology, Mianyang 621010, PR China) ,  Liu C.S. (Key Laboratory of Materials Physics, Institute of Solid State Physics, Chinese Academy of Sciences, P. O. Box 1129, Hefei 230031, PR China)
資料名： Journal of the European Ceramic Society  (Journal of the European Ceramic Society)
巻： 40  号： 15  ページ： 5196-5204  発行年： 2020年 
JST資料番号： E0801B  ISSN： 0955-2219  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 立方晶炭化ケイ素(3C-SiC)セラミックは,将来の核融合炉における構造材料の最も有望な候補の一つである。核融合環境において,高エネルギー中性子の照射は多数の点欠陥および多くのトランス変異体(H,He,Li,Be,B,Mg,AlおよびP)を誘起する。照射誘起点欠陥とトランス変異体との相互作用は3C-SiCにおける微細構造の発展に影響するが,ミクロプロセスはなおも myである。本研究では,照射誘起点欠陥と3C-SiCのトランス変異体との相互作用に関する系統的ab initio計算を実施した。LiとBe原子は4つの炭素原子によって囲まれる四面体格子間サイトを占有することを優先する。B原子は炭素の置換サイトを占有するのに有利であり,一方,Mg,Al,およびP原子はシリコンの置換サイトを占めるのを好む。さらに,B,MgおよびAl対のみが正の結合エネルギーを持ち,B,MgおよびAl対が置換サイトでクラスタを形成し,クラスタを形成する傾向があることを示唆した。空孔と自己格子間原子は,特にMgに対して,トランス変異体の捕獲中心として作用することができる。電子密度と体積差を解析し,点欠陥とtrans変異体との相互作用を制御する基礎となる理由を理解した。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *セラミック ,  *相互作用 ,  *点欠陥 ,  電子密度 ,  ケイ素 ,  炭素 ,  *ベリリウム ,  *マグネシウム ,  *リチウム ,  炭化ケイ素 ,  核融合 ,  格子間原子 ,  クラスタ ,  立方晶系 ,  核融合炉

著者キーワード (5件)： 立方晶炭化ケイ素 ,  点欠陥 ,  構造材料 ,  トランスミュータント ,  ab initio計算

分類 (2件)： セラミック・陶磁器の製造  (YC03020V) ,  セラミック・磁器の性質  (YC03030G)

タイトルに関連する用語 (12件)： 3C-SiC ,  セラミック ,  誘起 ,  点欠陥 ,  トランス ,  ミュータント ,  He ,  Li ,  Be ,  Mg ,  Al ,  相互作用