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J-GLOBAL ID：202002288651567487   整理番号：20A1235612

室温ボンディングに適した極めて平滑な表面を有する厚い酸化物膜を作製するためのスパッタ膜堆積

Sputter film deposition to fabricate thick oxide films with extremely smooth surface suitable for room-temperature bonding

著者 (10件)： Saito T. (Canon ANELVA Corporation, Kurigi 2-5-1, Asao, Kawasaki 215-8550, Japan) ,  Makita H. (Canon ANELVA Corporation, Kurigi 2-5-1, Asao, Kawasaki 215-8550, Japan) ,  Moriwaki T. (Canon ANELVA Corporation, Kurigi 2-5-1, Asao, Kawasaki 215-8550, Japan) ,  Suzuki Y. (Canon ANELVA Corporation, Kurigi 2-5-1, Asao, Kawasaki 215-8550, Japan) ,  Kato N. (Canon ANELVA Corporation, Kurigi 2-5-1, Asao, Kawasaki 215-8550, Japan) ,  Wakayanagi S. (Canon ANELVA Corporation, Kurigi 2-5-1, Asao, Kawasaki 215-8550, Japan) ,  Miura A. (Frontier Research Institute for Interdisciplinary Sciences (FRIS), Tohoku University, Sendai 980-8578, Japan) ,  Uomoto M. (Frontier Research Institute for Interdisciplinary Sciences (FRIS), Tohoku University, Sendai 980-8578, Japan) ,  Shimatsu T. (Frontier Research Institute for Interdisciplinary Sciences (FRIS), Tohoku University, Sendai 980-8578, Japan) ,  Shimatsu T. (Research Institute of Electrical Communication (RIEC), Tohoku University, Sendai 980-8577, Japan)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 59  号： SB  ページ： SBBC02 (3pp)  発行年： 2020年02月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： エネルギー処理スパッタリング(ETS),つまりイオンビームによる前進表面のわずかなエッチングを伴う膜成長中に行われるスパッタ膜堆積は,ガラスウエハ上にSiO₂膜を堆積するために適用できた。700nm厚のETS-SiO₂膜の表面粗さS_aは0.17nmであり,従来のマグネトロンスパッタリングを用いて堆積した膜(S_a=0.78nm)のそれより著しく低かった。さらに,S_a=2.95nmの粗い表面を有する厚いAl膜上に堆積した700nm厚のETS-SiO₂膜のS_aはわずか0.24nmであった。ETS-SiO₂膜を用いた結合性能は,化学機械研磨後に得られた滑らかな表面を有するSiO₂膜を用いたものと同じである。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *ボンディング【IC】 ,  室温 ,  平滑度 ,  表面性状 ,  *酸化膜 ,  蒸着膜 ,  *マグネトロンスパッタリング ,  イオンビーム ,  化学機械研磨 ,  エッチング ,  表面粗さ ,  ウエハ【IC】 ,  薄膜成長 ,  ガラス ,  二酸化ケイ素

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (6件)： 室温 ,  ボンディング ,  酸化物膜 ,  作製 ,  スパッタ膜 ,  堆積