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J-GLOBAL ID：202002288693818270   整理番号：20A1936827

AlGaAs/GaAsヘテロ構造における界面電子の光学配向に及ぼす電流の効果【JST・京大機械翻訳】

Effect of electric current on the optical orientation of interface electrons in AlGaAs/GaAs heterostructures

著者 (18件)： Ken O. S. (Ioffe Institute, Russian Academy of Sciences, 194021 St. Petersburg, Russia) ,  Zhukov E. A. (Ioffe Institute, Russian Academy of Sciences, 194021 St. Petersburg, Russia) ,  Zhukov E. A. (Experimentelle Physik 2, Technische Universitaet Dortmund, D-44227 Dortmund, Germany) ,  Akimov I. A. (Ioffe Institute, Russian Academy of Sciences, 194021 St. Petersburg, Russia) ,  Akimov I. A. (Experimentelle Physik 2, Technische Universitaet Dortmund, D-44227 Dortmund, Germany) ,  Korenev V. L. (Ioffe Institute, Russian Academy of Sciences, 194021 St. Petersburg, Russia) ,  Kopteva N. E. (Experimentelle Physik 2, Technische Universitaet Dortmund, D-44227 Dortmund, Germany) ,  Kopteva N. E. (Spin Optics Laboratory, St. Petersburg State University, 198504 St. Petersburg, Russia) ,  Kalitukha I. V. (Ioffe Institute, Russian Academy of Sciences, 194021 St. Petersburg, Russia) ,  Sapega V. F. (Ioffe Institute, Russian Academy of Sciences, 194021 St. Petersburg, Russia) ,  Wieck A. D. (Fakultaet fuer Physik und Astronomie, Ruhr-Universitaet Bochum, D-44801 Bochum, Germany) ,  Ludwig A. (Fakultaet fuer Physik und Astronomie, Ruhr-Universitaet Bochum, D-44801 Bochum, Germany) ,  Schott R. (Fakultaet fuer Physik und Astronomie, Ruhr-Universitaet Bochum, D-44801 Bochum, Germany) ,  Kusrayev Yu. G. (Ioffe Institute, Russian Academy of Sciences, 194021 St. Petersburg, Russia) ,  Yakovlev D. R. (Ioffe Institute, Russian Academy of Sciences, 194021 St. Petersburg, Russia) ,  Yakovlev D. R. (Experimentelle Physik 2, Technische Universitaet Dortmund, D-44227 Dortmund, Germany) ,  Bayer M. (Ioffe Institute, Russian Academy of Sciences, 194021 St. Petersburg, Russia) ,  Bayer M. (Experimentelle Physik 2, Technische Universitaet Dortmund, D-44227 Dortmund, Germany)
資料名： Physical Review. B  (Physical Review. B)
巻： 102  号： 4  ページ： 045302  発行年： 2020年 
JST資料番号： D0746A  ISSN： 2469-9950  CODEN： PRBMDO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： AlGaAs/GaAsヘテロ構造の光ルミネセンスHバンドに及ぼす横方向電流の影響を調べた。Hバンドに寄与する電子の光ルミネセンス強度と光学配向を連続波と時間分解光ルミネセンス分光法と時間分解Kerr回転により調べた。Hバンドは,GaAs層からヘテロ界面へ誘引された光励起電子とヘテロ界面に局在する重い正孔の再結合に起因することを示した。著しく異なる減衰時間を有する2つの線は,Hバンドを構成する:短寿命高エネルギー1と長寿命低エネルギー。高エネルギー線は,構造面に沿って自由に動く電子の再結合に由来し,一方,低エネルギーは,界面近くのドナー結合電子の再結合に起因する。~100-200V/cmの横方向電場の適用は,両方のラインの消光をもたらした。この消光は,GaAs層中の電子の光電流誘起加熱の結果として,ヘテロ界面近くの電子濃度の減少に起因する。反対に,ヘテロ界面近くの電子は効果的に冷却され,界面近くのドナーは,バルク材料の場合と対照的である~100V/cmまで完全には空きない。ヘテロ界面近傍のドナー結合電子の光学スピン分極は電場に弱く依存する。それらの分極動力学を格子核の超微細場におけるスピンデフェージングにより決定した。長いスピンメモリ時間(>40ns)は電子に対するスピン緩和のBir-Aronov-Piks機構の抑制と関連する。Copyright 2020 The American Physical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *界面 ,  再結合 ,  電場 ,  *電流 ,  ドナー ,  光ポンピング ,  光ルミネセンス ,  *ヒ化ガリウム ,  スピン分極 ,  デフェージング ,  *ヒ化ガリウムアルミニウム
準シソーラス用語： *ヘテロ構造 ,  スピン緩和 ,  ヘテロ界面 ,  重い正孔 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (4件)： 励起子  (BM02120E) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (7件)： AlGaAs ,  GaAs ,  ヘテロ構造 ,  界面 ,  電子 ,  光学 ,  配向