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J-GLOBAL ID:202002288709746218   整理番号:20A1699307

レーザ誘起前方移動を用いた単一ショットレーザ干渉パターンによるナノドットアレイ堆積【JST・京大機械翻訳】

Nanodot array deposition via single shot laser interference pattern using laser-induced forward transfer
著者 (7件):
資料名:
巻:号:ページ: 025101 (5pp)  発行年: 2020年 
JST資料番号: W5579A  ISSN: 2631-7990  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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レーザ誘起前方移動(LIFT)は,レーザ誘起ドット移動(LIDT)技術を通して,小さなショットエネルギーでレーザ波長よりも小さな単一ドットを堆積できる直接書き込み技術である。レーザー照射の単一ショットに単一ナノドットを堆積するために,液体ナノ液滴をドナーからレシーバに転送し,最終的に固体-液体-固体(SLS)プロセスにより固化した。従来のLIDT実験では,ステップ走査によるマルチショットを用いてアレイ構造を形成した。しかし,干渉レーザ処理はアレイプロセスを達成し,単一ショットで周期構造を生成する。本研究では,フェムト秒レーザ干渉パターンをLIDTにまず適用し,ナノドットアレイを単一ショットで堆積し,次のユニット構造を生成した:単一ドット,隣接ドット,および積層ドット。最小ナノドットの直径は355nmであり,2つの隣接ナノドット間の最も狭いギャップは17.2nmであった。LIDT法は高純度で無触媒であり,後洗浄または整列プロセスを必要としない。これらの重要な利点を考えると,LIDTは広範囲の分野でナノドットの使用性を拡大することができる。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (2件):
分類
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固体デバイス製造技術一般  ,  レーザの応用 

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