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J-GLOBAL ID：202002288910151005   整理番号：20A1874596

Tiドーピングによる14族元素2次元材料の量子容量の増強:第一原理研究【JST・京大機械翻訳】

Enhancement of the quantum capacitances of group-14 elemental two-dimensional materials by Ti-doping: A first principles study

著者 (4件)： Rihm Juven (Division of Materials Science and Engineering, Hanyang University, Seoul 04763, Republic of Korea) ,  Sim Eun Seob (Division of Materials Science and Engineering, Hanyang University, Seoul 04763, Republic of Korea) ,  Cho Sung Beom (Virtual Engineering Center, Korea Institute of Ceramic Engineering and Technology, Jinju, Republic of Korea) ,  Chung Yong-Chae (Division of Materials Science and Engineering, Hanyang University, Seoul 04763, Republic of Korea)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 530  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： グループ14の元素二次元材料は,活性炭と比較して,それらの様々な利点のために,将来のスーパーキャパシタのための重要な材料である。しかし,これらの材料のFermi準位(E_F)近傍の状態密度(DOS)の欠如は,特に電気二重層キャパシタ(EDLC)に対して,スーパーキャパシタの性能に対する制限要因の1つである。本研究では,Tiドーピングを,E_F近くの大量のDOSを提供するための戦略として研究した。密度汎関数理論計算を用いて,Ti原子のdバンドが材料に追加のDOSを与えることを確認した。ドープした系の計算された量子キャパシタンスと表面電荷密度は,E_F近くのDOSの増加のおかげで,それらの重量と特定の側面の両方で全体的に増強された。さらに,Tiドープシリセンは,他の材料と比較して,低電圧範囲で優れた特性を有することが明らかになった。これらの知見は,EDLCの性能を改善するための実用的なガイドラインを提供するかもしれない。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *チタン ,  電力コンデンサ ,  活性炭 ,  Fermi準位 ,  *ドーピング ,  静電容量 ,  *炭素族元素 ,  状態密度 ,  二次元 ,  第一原理
準シソーラス用語： スーパーキャパシタ ,  低電圧 ,  第一原理計算 ,  表面電荷密度 ,  密度汎関数計算 ,  二次元材料 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 電気二重層キャパシタ ,  第一原理計算 ,  2D材料 ,  量子容量 ,  ドーピング

分類 (2件)： 静電機器  (NB10020R) ,  炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (8件)： Ti ,  ドーピング ,  14族元素 ,  2次元 ,  量子容量 ,  増強 ,  第一原理 ,  研究