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J-GLOBAL ID：202002289054728236   整理番号：20A0581947

無接合金属酸化物半導体電界効果トランジスタによる2ゲート酸化物の影響-解析モデル【JST・京大機械翻訳】

Impact of two gate oxide with no junction metal oxide semiconductor field effect transistor- an analytical model

著者 (3件)： Darwin S. (Assistant Professor, Department of Electronics and Communication Engineering, Dr.Sivanthi Aditanar College of Engineering, Tiruchendur, Tamilnadu, India) ,  Arun Samuel T.S. (Associate Professor, Department of Electronics and Communication Engineering, National Engineering College, Kovilpatti, Tamilnadu, India) ,  Vimala P. (Associate Professor, Department of Electronics and Communication Engineering, Dayananda Sagar College of Engineering, Bangalore, Karnataka, India)
資料名： Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures  (Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures)
巻： 118  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： W1066A  ISSN： 1386-9477  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 物理に基づく解析モデルを用いて,接合MOSFET(TOX-NOJ-MOSFET)を持たない二つのゲート酸化物のポテンシャル分布,水平電場,およびドレイン電流を円筒形構造について調べた。Poisson方程式を用いて,放物線近似法に依存する円筒座標系の式を導いた。高k2ゲート酸化物スタックと二重材料二重ゲート構造を有する無接合トランジスタの組合せは,短チャネル効果を減少させ,I_ON電流(10~5A/μm)を増加させ,10~14A/μmの漏れ電流I_OFFを減少させ,10~9までのI_ON/I_OFF比を強化する。システム数値シミュレーションのスケーラビリティと応答性を保証するために,Synopsys TCADソフトウェアを用いて種々のバイアス電圧とゲート長比を用いて実行し,結果は解析解と良く一致した。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 複合材料 ,  応答特性 ,  漏れ電流 ,  解析的解法 ,  電場 ,  ソフトウェア ,  *FET【トランジスタ】 ,  接合形トランジスタ ,  *解析モデル ,  近似法 ,  円筒 ,  短チャネル効果 ,  接合 ,  電流 ,  Poisson方程式

著者キーワード (4件)： 接合はない ,  二酸化物スタック ,  ダブルゲート ,  Poisson方程式

分類 (3件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  励起子  (BM02120E) ,  その他の無機化合物の磁性  (BM06060P)

タイトルに関連する用語 (4件)： 金属酸化物半導体 ,  電界効果トランジスタ ,  ゲート酸化物 ,  解析モデル