結晶シリコン太陽電池のための透明不動態化接触の最適化【JST・京大機械翻訳】

Kohler Malte; Finger Friedhelm; Rau Uwe; Ding Kaining; Pomaska Manuel; Zamchiy Alexandr; Lambertz Andreas; Duan Weiyuan; Lentz Florian; Li Shenghao; Smirnov Vladimir; Kirchartz Thomas

文献

J-GLOBAL ID：202002289205281753 整理番号：20A0079882

結晶シリコン太陽電池のための透明不動態化接触の最適化【JST・京大機械翻訳】

Optimization of Transparent Passivating Contact for Crystalline Silicon Solar Cells

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資料名：
巻： 10 号： 1 ページ： 46-53 発行年： 2020年
JST資料番号： W2305A ISSN： 2156-3381 CODEN： IJPEG8 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

結晶シリコン(c-Si)太陽電池のための高度に透明な前面接触層システムを研究し,最適化した。この接触システムは湿式化学的に成長させたシリコントンネル酸化物,水素化微結晶炭化ケイ素[SiO_2/μc-SiC:H(n)]からなり,ホットワイヤ化学蒸着(HWCVD)とスパッタ蒸着したインジウムドープ酸化スズにより調製した。非常に高いバンドギャップ材料の排他的使用のため,このシステムは,最先端の非晶質(a-Si:H)または多結晶シリコン接触の状態よりも太陽光に対してより透明である。μc-SiC:H(n)の電気伝導率と接触特性に及ぼす熱線フィラメント温度の影響を調べることにより,μc-SiC:H(n)の電気伝導率はドーピング密度と結晶子サイズの増加により最大0.9S/cmまで増大することを見出した。電気伝導率のこの最適化は接触抵抗率の強い減少をもたらす。このSiO_2/μc-SiC:H(n)透明不動態化フロントサイドコンタクトを,a-Si:H/c-Siヘテロ接合バックコンタクトを持つ結晶性太陽電池に適用し,最大電力変換効率21.6%,短絡電流密度39.6mA/cm2を達成した。すべての素子は,a-Si:H/c-Siヘテロ接合面接触をもつ参照セルと比較して,短波長領域において優れた量子効率を示した。さらに,これらの透明な不動態化接触は,後処理なしで,例えば,ガスアニーリングまたは高温再結晶を形成することなく動作する。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

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太陽電池

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