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J-GLOBAL ID：202002289227801257   整理番号：20A2223467

ワンポット金属支援化学エッチングにより得られたシリコンナノワイヤの形態のルーリング機構【JST・京大機械翻訳】

On the mechanism ruling the morphology of silicon nanowires obtained by one-pot metal-assisted chemical etching

著者 (6件)： Magagna Stefano (Dept. of Materials Science, University of Milano Bicocca, Milan, 20125, Italy) ,  Narducci Dario (Dept. of Materials Science, University of Milano Bicocca, Milan, 20125, Italy) ,  Alfonso Claude (IM2NP UMR CNRS, Universite Aix-Marseille, Marseille CEDEX 20, 7734, France) ,  Dimaggio Elisabetta (Dept. of Information Engineering, University of Pisa, Pisa, 56122, Italy) ,  Pennelli Giovanni (Dept. of Information Engineering, University of Pisa, Pisa, 56122, Italy) ,  Charaie Ahmed (IM2NP UMR CNRS, Universite Aix-Marseille, Marseille CEDEX 20, 7734, France)
資料名： Nanotechnology  (Nanotechnology)
巻： 31  号： 40  ページ： 404002 (10pp)  発行年： 2020年 
JST資料番号： W0108A  ISSN： 0957-4484  CODEN： NNOTER  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリコンのワンポットAg支援化学エッチング(SACE)は,光起電力から熱電性までの技術的応用に対する潜在的興味のSiナノワイヤ(NWs)を得るための,効果的,簡単な方法を提供する。しかし,プロセスの詳細な機構はまだ完全には解明されていない。本論文では,ドーピングレベルとシリコンの種類,ナノワイヤナノ形態,エッチングプロセスの化学を制御するパラメータ間の相互作用の拡張解析の結果について報告する。SACE機構がエッチング溶液とSi基板の間の界面で,自己推進Ag粒子によるSi押出の結果として完全に起こる証拠を示した。また,p-およびn-型Siの両方における高ドーピングレベルでの(部分的に)多孔質NWsの報告された形成を説明するために,理論的根拠が進んだ。ポテンシャル障壁の主張した形成に頼らないモデルは,SACE電気化学と電気化学セル中の多孔質シリコンの形成機構の間の完全な一貫性を回復することを可能にした。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 界面 ,  光起電力 ,  相互作用 ,  *ケイ素 ,  ドーピング ,  ポテンシャル障壁 ,  電気化学 ,  エッチング液 ,  多孔質シリコン ,  *ナノワイヤ ,  *ウェットエッチング
準シソーラス用語： シリコンウエハ ,  *シリコンナノワイヤ ,  電気化学セル ,  *金属支援化学エッチング , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： ポット ,  金属支援化学エッチング ,  シリコンナノワイヤ ,  形態 ,  ルー