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J-GLOBAL ID:202002289321926140   整理番号:20A0496278

MgZnO/CdSeTe/CdTe太陽電池のためのElectron反射体としてのCdMgTe【JST・京大機械翻訳】

CdMgTe as an Electron Reflector for MgZnO/CdSeTe/CdTe Solar Cells
著者 (4件):
資料名:
巻: 2019  号: PVSC  ページ: 0149-0154  発行年: 2019年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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1.8eVのバンドギャップをもつCdMgTeをMgZnO/CdSeTeCdTeの背面に堆積させ,伝導帯障壁を形成し,背面再結合を減少させた。CdCl2不動態化損失を最小化するために,基板予熱時間を変化させた。光ルミネセンス,キャリア寿命および量子効率は,より短い予熱で改善を示し,二次イオン質量分析プロファイルは,短いCdMgTe予熱に対するCdCl2不動態化の保持を示した。HCl酸エッチング処理とCdTeキャップ層を,マグネシウム酸化を最小化するための追加デバイス上のCdMgTeの後に独立に組み込んだ。そして,CdTeキャップ装置は,13.1%に達するデバイス効率で初期の有望性を示した。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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図形・画像処理一般 
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