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J-GLOBAL ID：202002289335354803   整理番号：20A0818702

新しいナノテクノロジー構造CNTFET GaAs【JST・京大機械翻訳】

New nanotechnology structures CNTFET GaAs

著者 (4件)： Benbouza M.S. (University Batna2, Institute of Technology,Batna,Algeria) ,  Hocine D. (UMMTO,Tizi-Ouzou,Algeria) ,  Zid Y. (Institute of Physics,Batna1,Algeria) ,  Benbouza A. (USTHB, Institute of Physics,Algers1,Algeria)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2019  号： ICRERA  ページ： 799-803  発行年： 2019年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ナノテクノロジー市場は,数百のUSDに達した。この市場は主にCNTsの物理的特性(ナノ管炭素)に起因している。CNTの伝導率は銅より80倍高く,電子と正孔の移動度電荷はエレクトロニクス産業で使用されている非晶質シリコンに対して1,510~3cm~2/Vsと比較して100.10~3cm~2/Vsより大きい。電流密度は10~9以上であった。この3つのパラメータは,CNTの良好な特性を提供する。このパラメータはCNTとナノチューブ-炭素トランジスタCNTFETとC-CNTFETのインピーダンスを,カーボンナノチューブの関数半径と長さに依存する新しい構造を与える。このインピーダンスは,容量の寄生虫としての内部物理パラメータとトランジスタ成分の入力ゲートソースとドレインの抵抗の関数でもある。本研究では,ナノチューブ-炭素トランジスタCNTFETとC-CNTFETに基づく構造の新しいインダクタンスと抵抗を示し,このナノ構造が低エネルギー消費を提供することを証明し,古典的構造,トランジスタCNTFETとC-CNTFETと比較した。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電子技術 ,  移動度 ,  寄生虫 ,  カーボンナノチューブ ,  正孔 ,  ナノテクノロジー ,  アモルファスシリコン ,  インピーダンス ,  銅 ,  ナノ構造 ,  トランジスタ ,  インダクタンス ,  *ヒ化ガリウム ,  電流密度 ,  電荷

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (3件)： ナノテクノロジー ,  CNTFET ,  GaAs