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J-GLOBAL ID:202002289514094764   整理番号:20A0406229

ZスキームG-C_3N_4/MOS_2水分解光触媒における界面電荷移動のための金属製高速チャネル【JST・京大機械翻訳】

The high-speed channel made of metal for interfacial charge transfer in Z-scheme g-C3N4/MoS2 water-splitting photocatalyst
著者 (5件):
資料名:
巻:号: 11  ページ: 115545 (11pp)  発行年: 2019年 
JST資料番号: W5570A  ISSN: 2053-1591  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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Zスキームのヘテロ構造は,それらの顕著な光触媒性能に対して多くの注目を集めている。しかし,電荷移動機構はまだ曖昧で,界面電荷移動のための高速チャネルを設計する方法は依然として大きな課題である。本研究では,MoS_2/g-C_3N_4ヘテロ接合のエネルギーバンド構造と電荷移動を系統的に研究した。MOS_2/g-C_3N_4ヘテロ接合を,界面バンド曲がりの解析を通して,直接Z-スキームシステムを形成するために,実証することができた。このヘテロ接合は表面で低いトンネリング可能性を有し,光触媒効率を著しく制限する。この問題を解決するために,適切な金属を有する層間の高速チャネルを構築することを試みた。著者らは,M-C_3N_4とM-MoS_2ヘテロ接合(M=Ag,Al,Au,およびPt)の界面の完全な調査を行った。著者らの結果は,Agが界面における大部分のキャリアの再結合効率を改善することができることを明らかにした。それは,実験において見つけたg-C_3N_4/Ag/MoS_2システムのために強化した光活性を説明することができた。より注目すべきことに,Schottkyとトンネル障壁の両方がAl-C_3N_4界面で消失し,オーム接触を形成し,電子輸送のより高い性能を予測した。したがって,より優れた性能とより高い豊度を有するアルミニウムはZスキームシステムにおける肝臓の有望な候補である。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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光化学反応 
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