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J-GLOBAL ID：202002289540373118   整理番号：20A1297719

スイッチング素子のモデリングおよび電力変換器のシミュレーションとその動向

Modeling of Switching Device and Simulation of Power Converter, and its Trends

著者 (6件)： 大河内裕太 (ローム) ,  今岡淳 (名古屋大) ,  堀口剛司 (三菱電機) ,  小笠原悟司 (北大) ,  重松浩一 (名古屋大) ,  石川裕記 (岐阜大)
資料名： 電気学会全国大会講演論文集(CD-ROM)  (Annual Meeting Record, I.E.E. Japan (CD-ROM))
巻： 2020  ページ： ROMBUNNO.S13-3  発行年： 2020年03月01日 
JST資料番号： S0653B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： ・本稿は,ワイドバンドギャップ半導体デバイスを代表に,スイッチング素子のモデリング手法とその適用事例,および電力変換器内で用いる受動素子のモデリング手法を紹介。
・SiC-MOSFETの物理モデルとビヘイビアモデル,そしてパッケージのモデリング手法である集中定数モデルと分布定数モデルの例を紹介。
・スイッチング素子モデルを用いたEMI解析と熱解析法の例を紹介。
・磁気部品について直流重畳特性とコモンモードフィルタのモデリング事例とそれを用いたシミュレーションを紹介。

シソーラス用語： *スイッチング素子 ,  *モデリング ,  *電力変換器 ,  *シミュレーション ,  化合物半導体 ,  回路部品 ,  MOSFET ,  モデル ,  ICパッケージ ,  分布定数回路 ,  計算機シミュレーション ,  *磁性部品 ,  フィルタ ,  製品開発 ,  フロントローディング ,  集中定数モデル ,  物理モデル ,  ワイドギャップ半導体 ,  熱シミュレーション ,  計算機利用 ,  利用
準シソーラス用語： SiC MOSFET ,  コモンモードフィルタ ,  ビヘイビアモデリング ,  ワイドバンドギャップ半導体 ,  受動素子 ,  熱解析

分類 (3件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G) ,  電力変換器  (NB08030B) ,  計算機シミュレーション  (JE11000H)

タイトルに関連する用語 (5件)： スイッチング素子 ,  モデリング ,  電力変換器 ,  シミュレーション ,  動向