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J-GLOBAL ID：202002289591169815   整理番号：20A0779646

大気圧MeV-SIMSの開発と固液界面分析

Development of Atmospheric Pressure MeV-SIMS and Solid-Liquid Interface Analysis

著者 (1件)： 瀬木利夫 (京大 大学院工学研究科)
資料名： Journal of Surface Analysis  (Journal of Surface Analysis)
巻： 26  号： 3  ページ： 254-257  発行年： 2020年03月17日 
JST資料番号： L3852A  ISSN： 1341-1756  CODEN： JSANFX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 二次イオン質量分析法(Secondary Ion Mass Spectrometry:SIMS)は,高感度に元素分布のイメージングや深さ方向分析ができることから,Si中の不純物分析のように半導体分野などで多く利用されてきた.近年になり,MeV領域のエネルギーを持つ高速重イオンを一次ビームとして用いるMeV-SIMSが開発され,有機材料の分析も可能となり,固液界面分析やオペランド分析に向けて低真空あるいは大気圧下でのSIMS分析も可能となってきている.ここでは,固液界面分析に向けて,湿潤He環境下においてSi基板上の安息香酸水溶液を次第に乾燥させながら連続SIMS測定した結果を示す.(著者抄録)

シソーラス用語： *気圧 ,  *二次イオン質量分析 ,  *固液界面 ,  高感度 ,  元素 ,  分布 ,  深さプロフィル ,  ケイ素 ,  不純物 ,  イオン ,  重イオン ,  有機材料 ,  芳香族カルボン酸
準シソーラス用語： *大気圧 ,  *SIMS【質量分析】 ,  元素分布 ,  深さ方向プロフィル ,  高速イオン

分類 (1件)： 質量分析計  (BD02060M)

物質索引 (1件)： 安息香酸

引用文献 (2件)：

• [ 1]\tT. Seki Y. Wakamatsu, S. Nakagawa, T. Aoki, A. Ishihara, and J. Matsuo, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B 332, 326 (2014).
• [ 2]\tM. Kusakari, M. Fujii, T. Seki, T. Aoki, and J. Matsuo, J. Vac. Sci. Technol. B 34, 03H111 (2016).

タイトルに関連する用語 (5件)： 大気圧 ,  SIMS ,  開発 ,  固液界面 ,  分析