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J-GLOBAL ID：202002289591902889   整理番号：20A2633916

二硫化モリブデン(MoS_2)材料の合成と応用に関する包括的レビュー:過去と最近の発展【JST・京大機械翻訳】

A comprehensive review on synthesis and applications of molybdenum disulfide (MoS₂) material: Past and recent developments

著者 (3件)： Gupta Deepika (University School of Basic and Applied Sciences, Guru Gobind Singh Indraprastha University, New Delhi 110078, India) ,  Chauhan Vishnu (University School of Basic and Applied Sciences, Guru Gobind Singh Indraprastha University, New Delhi 110078, India) ,  Kumar Rajesh (University School of Basic and Applied Sciences, Guru Gobind Singh Indraprastha University, New Delhi 110078, India)
資料名： Inorganic Chemistry Communications  (Inorganic Chemistry Communications)
巻： 121  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： W1585A  ISSN： 1387-7003  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ナノ材料の進化は,所望の応用を達成するために,ナノスケールレベルで材料の形状および構造を変える際に重要な役割を果たす。初期のカーボンナノチューブはエレクトロニクスのための楽観的材料であると考えられてきたが,半導体と金属相を区別する能力は,グラフェン,黒リン,2D ZnO,六方晶窒化ホウ素,2Dハニカムシリコン,および二硫化モリブデン(MoS_2)と二硫化タングステン(WS_2)のような層状遷移金属ジカルコゲン化物(TMD)を含む準二次元(Q2D)材料の開発をもたらす。それらの中で,二硫化モリブデン(MoS_2)は,それがバルクからナノスケールに変化するので,異なる特性を示す能力を示すので,説得力のある多目的材料と考えられている。単層MoS_2は,その直接バンドギャップ値,すなわち,(λ≦1.9eV)により,ポストシリコンエレクトロニクスを保証できる。それは,室温で高いオン/オフ電流比(108)と約200cm2(Vs)-1の移動度を示した。また,構造に基づいて,MoS_2は2つの特性(i)を有し,S-Mo-S原子層が共有結合(ii)van der Waals相互作用がMoS_2の隣接層の間にあり,ガス検知目的に適している。300Kでは,MoS_2は熱伝導率値131Wm-1k-1を含む。MoS_2は種々のポリタイプから成る。MoS_2の有望な特性と特性は,種々の実用化に適している。本レビューでは,2D MoS_2材料の分野で行われた最近のおよび過去の開発をカバーした。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 相互作用 ,  電流 ,  熱伝導率 ,  半導体 ,  電子技術 ,  *二次元 ,  ポリタイプ ,  共有結合 ,  カーボンナノチューブ ,  ナノ材料 ,  グラフェン
準シソーラス用語： *二硫化モリブデン ,  ナノスケール ,  六方晶窒化ホウ素 ,  直接バンドギャップ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： MoS_2 ,  機械的強度 ,  モビリティ ,  光学特性 ,  ガスセンサー ,  固体潤滑剤

分類 (2件)： 遷移金属元素(鉄族元素を除く)の錯体の結晶構造  (BK09030X) ,  遷移金属錯体一般  (CE01040N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 二硫化モリブデン ,  応用 ,  レビュー ,  過去 ,  発展