文献

J-GLOBAL ID：202002290168662231   整理番号：20A2453117

CuXY_2(X=Si,Ge,Y=P,As)の構造,電子および光学特性の理解:DFT+Uアプローチ【JST・京大機械翻訳】

Understanding the structural, electronic and optical properties of CuXY₂ (X = Si, Ge, Y = P, As): A DFT +U approach

著者 (14件)： Khalid Shah (Institute of New Energy and Materials, China University of Petroleum (Beijing), Beijing, 102249, PR China) ,  Khalid Shah (Laboratoire de Physique Quantique de la Matiere et de Modelisation Mathematique (LPQ3M), Universite de Mascara, 29000, Mascara, Algeria) ,  Fahad Shah (School of Physical Science and Technology Lanzhou University, PR China) ,  Khan Junaid (Department of Physics Khushal Khan Khattak University Karak Pakistan, Pakistan) ,  Sun Xiaoliang (Institute of New Energy and Materials, China University of Petroleum (Beijing), Beijing, 102249, PR China) ,  Khenata Rabah (Laboratoire de Physique Quantique de la Matiere et de Modelisation Mathematique (LPQ3M), Universite de Mascara, 29000, Mascara, Algeria) ,  Huang Wenqi (Beijing Advance Innovation Center for Materials Genome Engineering, School of Information Science and Technology University, Beijing, 100101, PR China) ,  Wang Shuangxi (Department of Materials Science and Engineering, China University of Petroleum, Beijing, 102249, PR China) ,  Lu Guiwu (Institute of New Energy and Materials, China University of Petroleum (Beijing), Beijing, 102249, PR China) ,  Lu Guiwu (Laboratoire de Physique Quantique de la Matiere et de Modelisation Mathematique (LPQ3M), Universite de Mascara, 29000, Mascara, Algeria) ,  Yang Zhenqing (Beijing Key Laboratory of Optical Detection Technology for Oil and Gas, and College of Science, China University of Petroleum, Beijing, 102249, PR China) ,  Omran S. Bin (Department of Physics and Astronomy, College of Science, King Saud University, P.O. Box 2455, Riyadh, 11451, Saudi Arabia) ,  Rehman Shafiq Ur (College of Physics and Optoelectronic Engineering, Shenzhen University, Nanhai Ave 3688, Shenzhen, Guangdong, 518060, PR China) ,  Ma Yue (Institute of New Energy and Materials, China University of Petroleum (Beijing), Beijing, 102249, PR China)
資料名： Optik  (Optik)
巻： 221  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： D0251A  ISSN： 0030-4026  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,CuXY_2(X=Si,Ge,Y=P,As)材料の構造,電子および光学特性を第一原理DFT計算により計算した。得られた結果は実験データおよび以前の理論データと非常に一致した。CuSiP_2,CuSiAs_2,CuGeP_2およびCuGeAs_2は,それぞれ0.80eV,0.62eV,0.53eVおよび0.35eVのバンドギャップエネルギーを有する直接および狭いバンドギャップ半導体であった。上部および下部バンドでは,s,pおよびd原子軌道が主な寄与因子であった。s,p及びd結合軌道は価電子帯及び伝導バンドの形成における全及び部分状態密度に大きく寄与した。電子電荷密度は,結合特性が共有結合とイオン結合の混合物であることを明らかにした。これらの材料の光学特性を調べ,誘電関数,屈折率,光学伝導率,反射率および損失関数の観点から考察した。電磁エネルギー(光子)の紫外および可視領域におけるこれらの化合物の高い反射率および直接バンドギャップは,オプトエレクトロニクス応用におけるこれらの材料の潜在的な利用を明らかにした。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 屈折率 ,  *光学的性質 ,  反射率 ,  半導体 ,  伝導バンド ,  電磁エネルギー ,  オプトエレクトロニクス ,  価電子バンド ,  共有結合 ,  誘電関数 ,  密度汎関数法 ,  バンドギャップ
準シソーラス用語： 可視領域 ,  電荷密度 ,  直接バンドギャップ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： DFT+U ,  電子物性 ,  光学特性

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  光物性一般  (BM08010A)

タイトルに関連する用語 (5件)： Ge ,  電子 ,  光学特性 ,  理解 ,  DFT+U