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J-GLOBAL ID：202002290430503656   整理番号：20A2766854

CZTS特性に及ぼすビスマスドーピング効果の研究:密度汎関数理論研究【JST・京大機械翻訳】

Investigation of Bismuth Doping Effects on CZTS Properties: A Density Functional Theory Study

著者 (3件)： Barati M. (K. N. Toosi University of Technology,Faculty of Electrical Engineering,Tehran,Iran) ,  Nouri N. (K. N. Toosi University of Technology,Faculty of Electrical Engineering,Tehran,Iran) ,  Manavizadeh N. (K. N. Toosi University of Technology,Faculty of Electrical Engineering,Tehran,Iran)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2020  号： ICEE  ページ： 1-5  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ポスト遷移金属ドープ四元黄銅鉱CZTS膜を,太陽エネルギー捕獲と変換戦略を改善する新しい方法として提案した。本論文では,純粋およびBiドープ条件でのCZTS(Cu_2ZnSnS_4)の格子構造および光学的性質を第一原理密度汎関数理論(DFT)を用いて理論的に調べた。結果は,スズサイトにビスマス置換を加えた後,格子定数と結合長は変化しないことを示した。隣接ビスマスの第一層の硫黄原子について投影状態密度を計算した。ハイブリダイゼーションはビスマスの6p状態と硫黄原子の3s状態の間で起こる。さらに,PDOS図は,0.7eVのエネルギーバンドギャップと伝導帯端へのFermiエネルギーシフトを示した。原子価バンドエッジより約0.5eVのビスマス-スズ置換によりアクセプタ状態を誘導した。誘電関数から抽出される光学結果によれば,ビスマスドープ構造の吸収係数は低エネルギー光子で5.5×105cm-1に増加し,一方,純粋なCZTSはこの範囲で吸収光子を持たない。可視光反射においてわずかな減衰を示した。アクセプタ状態により,キャリアの伝導率は低エネルギー光子に対して促進された。その結果,ビスマスとスズ間の置換は,吸収体層としてCZTSの光学的性質を改善した。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： アクセプタ ,  吸収係数 ,  光子 ,  格子定数 ,  スズ ,  *ビスマス ,  原子価 ,  伝導バンド ,  *ドーピング ,  可視光 ,  捕獲 ,  状態密度 ,  誘電関数 ,  *密度汎関数法 ,  バンドギャップ

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (5件)： CZTS ,  ビスマス ,  ドーピング効果 ,  研究 ,  密度汎関数理論