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J-GLOBAL ID：202002290469216439   整理番号：20A1955065

平面過渡抑制ダイオードを組み込んだ新しい電気爆発デバイス【JST・京大機械翻訳】

Novel Electro-Explosive Device Incorporating a Planar Transient Suppression Diode

著者 (4件)： Wang Jun (School of Chemical Engineering, Nanjing University of Science and Technology, Nanjing, China) ,  Zhou Bin (School of Chemical Engineering, Nanjing University of Science and Technology, Nanjing, China) ,  Ye Shuqin (North Special Energy Group Company Ltd., Xi’an, China) ,  Chen Houhe (School of Chemical Engineering, Nanjing University of Science and Technology, Nanjing, China)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 41  号： 9  ページ： 1416-1419  発行年： 2020年 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本レターでは,新しい静電放電耐性半導体ベースの電気爆発デバイスを示した。統合半導体ブリッジ(ISCB)チップと呼ばれる装置は,単結晶シリコン加熱素子から成り,それを兵器における火工混合を点火するために利用した。2つの平面過渡抑制ダイオードアレイをチップに組み込み,静電放電事象を保護した。ISCBの過渡抑制ダイオードアレイと放電特性の特性を,容量放電ユニットによってテストした。一方,静電放電事象中のISCBの挙動も人体静電放電モデルにより試験した。結果は,ISCBチップが小サイズ,高速着火,静電放電非感受性,低開始エネルギー応用を含む利点を提供することを示した。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *ダイオード ,  半導体 ,  放電 ,  感受性 ,  *電気爆発 ,  発熱体
準シソーラス用語： 単結晶シリコン ,  静電気放電 ,  放電特性 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： ダイオード  (NC03050R) ,  トランジスタ  (NC03070N) ,  発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (2件)： ダイオード ,  電気爆発