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J-GLOBAL ID：202002290766555064   整理番号：20A2093242

InAs系トポロジカルヘテロ構造の表面の修理【JST・京大機械翻訳】

Repairing the surface of InAs-based topological heterostructures

著者 (14件)： Pauka S. J. (ARC Centre of Excellence for Engineered Quantum Systems, School of Physics, The University of Sydney, Sydney, NSW 2006, Australia) ,  Witt J. D. S. (ARC Centre of Excellence for Engineered Quantum Systems, School of Physics, The University of Sydney, Sydney, NSW 2006, Australia) ,  Allen C. N. (Microsoft Quantum Sydney, The University of Sydney, Sydney, NSW 2006, Australia) ,  Harlech-Jones B. (ARC Centre of Excellence for Engineered Quantum Systems, School of Physics, The University of Sydney, Sydney, NSW 2006, Australia) ,  Jouan A. (ARC Centre of Excellence for Engineered Quantum Systems, School of Physics, The University of Sydney, Sydney, NSW 2006, Australia) ,  Gardner G. C. (Birck Nanotechnology Center, Purdue University, West Lafayette, Indiana 47907, USA) ,  Gronin S. (Birck Nanotechnology Center, Purdue University, West Lafayette, Indiana 47907, USA) ,  Wang T. (Birck Nanotechnology Center, Purdue University, West Lafayette, Indiana 47907, USA) ,  Thomas C. (Birck Nanotechnology Center, Purdue University, West Lafayette, Indiana 47907, USA) ,  Manfra M. J. (Birck Nanotechnology Center, Purdue University, West Lafayette, Indiana 47907, USA) ,  Gukelberger J. (Microsoft Quantum, One Microsoft Way, Redmond, Washington 98052, USA) ,  Gamble J. (Microsoft Quantum, One Microsoft Way, Redmond, Washington 98052, USA) ,  Reilly D. J. (ARC Centre of Excellence for Engineered Quantum Systems, School of Physics, The University of Sydney, Sydney, NSW 2006, Australia) ,  Cassidy M. C. (Microsoft Quantum Sydney, The University of Sydney, Sydney, NSW 2006, Australia)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 128  号： 11  ページ： 114301-114301-7  発行年： 2020年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： トポロジー的に保護された量子ビットのための候補系は,近接効果を介して強いスピン-軌道相互作用と超伝導を示すヘテロ構造に基づく二次元電子ガス(2DEG)を含む。InAsまたはInSbベース材料では,ハードギャップp波超伝導状態を生成するために浅い量子井戸を形成する必要性は,しばしばそれらを製作誘起損傷にし,それらの移動度を制限する。ここでは,加工したInAs 2DEG量子井戸における散乱機構を調べ,半導体-誘電体界面を修復することにより,それらの移動度を増加させる方法を実証した。アルゴン-水素プラズマによる荷電不純物状態の不動態化は,10nm深量子井戸において,45300cm2/(V s)まで,未処理試料と比較して,測定した移動度と分散の減少における著しい増加をもたらした。Copyright 2020 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 位相幾何学 ,  移動度 ,  界面 ,  スピン-軌道相互作用 ,  超伝導 ,  半導体 ,  誘電体 ,  不動態化 ,  *ヒ化インジウム ,  近接効果 ,  アンチモン化インジウム ,  量子井戸 ,  二次元電子ガス
準シソーラス用語： *ヘテロ構造 ,  水素プラズマ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (2件)： InAs ,  修理